@perfekt!57 - auweia Physik ...
Es wurde zunächst ein Gesamtsystem, als incl. Chipsatz, DRAM, Grafikkarte und HD vermessen.
Auch hat der 90nm die 1,4 V, der 130nm die 1,5 V.
Zusätzlich ist 130nm voll durch optimiert, beim 90nm kamen die Frühexemplare zum Benchmark.
Im Prinzip ist hier der 90nm im Leckstrom sogar schlechter wie ein theoretischer 130nm bei 1,4 V, aber steigt nur 39 statt 48 Watt bei Volllast an. Ein leichter Vorteil für 90nm, besser als es 1,4 statt 1,5 V erwarten lassen.
Bei den Temperaturen ist zu beachten, daß einfach ein Kühlkörper bei weniger Wärmewatt besser kühlen kann weil eben einen niedrigere Temperatur vorliegt und so den kleinen DIE gut abkühlt. Bei höherer Wärmebelastung machen sich die Wärmewiderstände DIE, Abdeckblech, Wärmepaste zu Kühler stärker bemerkbar beim kleinen DIE.
Auch ist das jetzige 90nm Design ein 9-Layer Design, das spätestenes Mitte 2005 beim Dual-Core oder früher beim San Diego u.ä. 1 MB-L2 DIEs auf 11-Layer umgestellt wird. Das ist einfach elektrisch zu dünn für höhere Taktraten und wird auch beim 65nm Prozess (=IBM Fertigungstechnologie) auf 11-Layer = Stndard umgestellt.
Auch wird an den Transistoren noch etwas geändert, was auch zu einem kompakteten L2 führen wird (s. nur noch 200 mm2 bei Dual-Core, aber 118 mm2 beim kommenden Unicore Opteron).
Man sollte wirklich die 90nm Fertigungstechnik und das CPU-Stepping trennen, AMD fährt gerade jetzt die Budget-Linie ein, die so ab Ende 2004 (lt. AMD am Donnerstag) auch beim Sempron übernommen wird.
Das aufwendigere und schnellere Stepping wird Dual-Core und wohl die 1 MB-L2 A64 erhalten (etwa Q1'05), ebenso die low power A64 mobil mit 25 Watt.