News Flash Memory Summit: SK Hynix entwickelt 321-Layer-TLC-NAND

[MichaG]

Als erster Hersteller präsentiert SK Hynix auf dem Flash Memory Summit 2023 eine neue Generation 3D-NAND mit mehr als 300 Zellebenen (Layer). Konkret sollen 321 Layer vorliegen. Pro Zelle werden 3 Bit (TLC) gespeichert und ein ganzer Chip speichert 1 Tbit Daten. Die Serienfertigung steht aber noch lange nicht an.

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[Tepesch]

Und irgendwas sagt mir, daß wir dennoch nur maximal 4TB bezahlbaren Speicher bekommen bei TLC... die Entwicklung an sich begrüße ich aber durchweg

 

[Exlua]

Genau, wann 8TB?

 

[Rickmer]

Wie kommen die auf 321 Layer? Das ist ja noch nichtmals eine grade Zahl... 107x3?

 

[massaker]

... Das ist ja noch nichtmals eine grade Zahl... 107x3?

Warum nicht? Warum sollte gerade sein? Früher mit 2 "Etagen" waren sie doch auch bei 119 x2 = 238. Warum hältst Du jetzt 3x 107er "Etagen" für unmöglich?🤔

P.S.: ich vermute aber, dass unsere Annahmen sowieso falsch sind, da bei der mittleren "Etage" mehr Schichten dem Prozess zum Opfer fallen, sprich : äußere "Etagen" haben mehr Layer, als mittlere.

 

[Matthias B. V.]

Klingt doch gut. Dass es erst 2025 kommt liegt sicherlich auch daran dass viele mit einer Rezession rechnen und die NAND Hersteller aktuell keinen Druck sehen...

 

[ildottore]

Die Tabelle verwirrt mich. Wie kann es sein, dass man für Samsung V8 und SK Hynix V8 die Kapazität und die Dichte, aber nicht die Die-Fläche kennt?

 

[MichaG]

Artikel-Update: Die Website PC Watch liefert noch weitere Details zum 321-Layer-NAND, die SK Hynix auf dem Flash Memory Summit preisgegeben hat. So sollen pro Wafer 41 Prozent mehr Bit als beim Vorgänger herauskommen. Eine entsprechende Kostenreduzierung bedeutet dies aber nicht, denn da nun drei statt zuvor zwei Layer-Türme zusammengesetzt werden, sind zusätzliche Herstellungsschritte nötig.

[Bilder: Zum Betrachten bitte den Artikel aufrufen.]​

Die Latenz beim Lesen soll gegenüber der V8-Generation um 13 Prozent niedriger ausfallen. Zudem werde 10 Prozent weniger Energie beim Lesen benötigt. Der Durchsatz beim Schreiben steige wiederum um 12 Prozent. Bestätigt werden in dem Bericht die Eckdaten der obigen Tabelle, die nun weiter ergänzt wurde.

[Bilder: Zum Betrachten bitte den Artikel aufrufen.]​

Außerdem hat SK Hynix angekündigt, erst im vierten Quartal den 238-Layer-NAND in der Version mit 1 Terabit anzubieten. Bisher kommen 512-Gbit-Chips zum Einsatz. Wie Solidigm und Kioxia/WD forscht SK Hynix zudem an Penta-Level-Cell (PLC) NAND mit 5 Bit pro Speicherzelle. Derzeit weist vieles darauf hin, dass Solidigm der Markteinführung am nächsten ist. Denn die aus der ehemaligen Intel-Sparte entstandene Firma hat bereits vor einem Jahr eine erste SSD mit PLC als Prototyp gezeigt.

 

[Grumpy]

Ich liebe SK Hynix

Meine RAM-Speicherzellen (DDR4) sind von denen und ich bin mega zufrieden damit! Lässt sich gut übertakten und ich hatte bisher keine Probleme damit (nach 3+ Jahren Dauerbetrieb).

Bei der weiterhin konstant rasanten Entwicklung im Speichersegment bin ich wirklich gespannt, was die Zukunft so bringt. Gute Konkurrenz für Samsung, Kingston und Micron

 

[Rickmer]

Dann hatte ich mir 3x107 sogar richtig geraten

Schade nur, dass die zusätzliche Produktionskomplexität jegliche Kosteneinsparungen killt.

 

[fox40phil]

Platz auf den Platinen wäre heute schon genug... aber sie nutzen es nicht. Jedenfalls nicht für Consumerprodukte. Sehr sehr schade.
Warum gibts 20+TB HDDs, aber kaum bis gar keine 4+ TB SSDs...

 

[MichaG]

Die Tabelle verwirrt mich. Wie kann es sein, dass man für Samsung V8 und SK Hynix V8 die Kapazität und die Dichte, aber nicht die Die-Fläche kennt?

Guter Punkt! Ich habe mal 89 mm² errechnet. Mir fällt erst jetzt auf, dass die Specs für Samsung V8 und SK Hynix V8 komplett identisch sind... das kommt mir nun komisch vor. ^^

Die Specs zu Samsung V8 kommen von hier: https://www.techinsights.com/blog/u...samsung-176l-238l-sk-hynix-176l-kioxiawd-162l

Die Specs zu SK Hynix V8 von hier: https://blocksandfiles.com/2023/03/16/sk-hynix-breaking-past-the-300-layer-3d-nand-mark/

Oder war vielleicht auf der ISSCC-Folie gar nicht SK hynix V8 sondern Samsung gemeint? Mistdreck, ich versuche das herauszufinden..

 

[pas06]

Worin unterscheiden sich eigentlich die verschiedenen Zellarten (SLC, MLC, TLC etc)? Ich stelle mir das immer wie ne Art Behälter vor in denen dann Elektronen gespeichert werden. Gibt es da irgendeinen Unterschied zwischen den Zellen oder kommt es da rein auf den Controller an wie die Zelle verwendet wird?

 

[ErichH.]

SLC - Single Level Cell - 1 Bit pro Zelle.
MLC - Multi Level Cell - 2 Bit
TLC ... 4 Bit je Zelle, QLC - 8 Bit und PLC - 16 Bit 😉

 

[massaker]

LoL... Mögliche Spannungszustände mit gespeicherten Bits verwechselt und dann noch versetzt... Alles ist jedoch viel einfacher:
MLC = 2 Bits, TLC = 3 Bits, QLC = 4 Bits und PLC = 5 Bits... (oder doch 2x 2,5?😅)

 

[ErichH.]

Der freundliche Kamerad über mir hat natürlich Recht mit seinen Aussagen 😉