@Faust2011 Die physikalische Grenze von ca. 3nm tritt aber nur ein, wenn man tatsächlich 3nm-große Strukturen fertig. Davon ist man noch weit entfernt, deswegen gibt es von theoretischer Seite erstmal kein Limit für die Fertigung.
Stattdessen ist das Gate-All-Around von 3nm der nächste "Trick", um die Transistordichte zu erhöhen. Für den Schritt danach hat sich einfach noch kein neuer Trick gefunden, das steckt noch in der Forschung. Wird aber sicher in 1-2 Jahren bekannt gegeben. Auf eine mögliche physikalische Grenze würde ich erstmal nichts geben.
Stattdessen ist das Gate-All-Around von 3nm der nächste "Trick", um die Transistordichte zu erhöhen. Für den Schritt danach hat sich einfach noch kein neuer Trick gefunden, das steckt noch in der Forschung. Wird aber sicher in 1-2 Jahren bekannt gegeben. Auf eine mögliche physikalische Grenze würde ich erstmal nichts geben.
