News Intels neue „Fab D1X“ bereit für 450-mm-Wafer

Die silizium wafer mit 450mm müssen die gleiche Reinheit haben wie die 300mm sonst klappt das nicht.
und ich denke das man das hinkriegt mit dem Einkristall.
die Triebwerkschaufeln des A380 (Roll-Royce Tent 972b) sind auch technische Einkristalle (nickel-basis-superlegierungen) vergleichbarmit ein siliziumeinkristall und die sind nen bisle Voluminöser.
und ich denke nicht das ein Siliziumeinkristall gesägt wird, damit würde man viel zu viele versetzungen einbringen und diese sind der tod eines einkristalls. Diese werden eher gelasert oder ähnliches, aber nicht mechanisch gesägt ^^.

desweiteren ist ja klar, wenn die wafertechnologiesteigt, dann steigt auch die silizium einkristallzucht ... ^^

also prozesschritte sind folgende:
si einkristall zucht, si einkristall wird in scheiben geschnitten, poliert.
wafer wird mit einem lack versehen und mittels monochromatischem licht härtet dieser aus, danach wird geätzt, ich glaub diese prozerss schritte werden wdh und es werden noch schichten aufgedampft, auf jedenfall entsteht dann irgendwann zum schluss der prozessor.
 
Wafer werden mit Drahtsägeverfahren zersägt, würde man die Lasern hast du einen großen Wärmeeintrag der nur kontraproduktiv wäre, um den Wafer dann reif für die Produktion zu bekommen sind wieder andere Probleme zu bewältigen, wobei das polieren hier wieder der wichtigste Schritt ist.

Wafer mit 450mm Herzustellen ist weniger das Problem, allerdings ist es schwer einen langen Kristall rauszuzuiehen um viele Wafer herstellen zu können da der Kristall durch sein eigenes Gewicht zerbrechen kann. Weiters müsste man alle weiteren Anlagen auf 450mm umrüsten wo es wiederum das Problem gibt so einen großen Wafer zu polieren, da er sich aufgrund seiner Größer durchbiegt.
 
Zuletzt bearbeitet:
Zurück
Oben