News Samsung Foundry Forum 2023: 2-nm-Prozess ist 2025 startklar und 1,4 nm folgt 2027

Volker

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Zum Samsung Foundry Forum 2023 hat der Branchenriese seine Fertigungspläne für die Zukunft untermauert und sieht sich auf einem gutem Weg. Nach den Startschwierigkeiten beim ersten Prozess mit Gate all Around (GAA) soll die nächste Ausbaustufe rund um 2 nm reibungslos laufen. Die Zugewinne bleiben jedoch überschaubar.

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Es scheint, als wäre fast das Ende der Fahnenstange bei der Verkleinerung erreicht.
 
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Volker schrieb:
Impliziert der Schritt von 3 nm auf 2 nm, wie Samsung im Marketing seine Prozesse nennt, die real wie bei allen Herstellern so klein nicht sind,
Danke! Sowas muss leider immer wieder erwähnt werden, dass diese "Strukturgrößen" keine realen, messbaren Größen sind, sondern reine Marketing-Pseudobegriffe.
 
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Gibt es einen reellen Vergleich der Strukturgrößen zwischen den Herstellern?
Hat das mal´wer gemessen?
 
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Was man bei Samsung Foundry auch immer erwähnen sollte, ist wie groß die Lücke zwischen Papier und Realität bei den letzten Nodes ausgefallen ist.

Density wie bei TSMC 1-2 Gens zuvor, Effizienz wie bei TSMC 2-3 Gens zuvor und Yields so katastrophal, dass Ermittlungen laufen, ob die Verantwortlichen die Zahlen vorab nicht schlichtweg gefälscht haben.
 
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Und gewinnen tut beim Dreikampf: ASML aus Europa (Niederlande)
Wir haben in Europa tatsächlich noch Schlüsseltechnologien, ASML stellt als einziges Unternehmen EUV-Belichtungsmaschinen für Halbleiterlithographie her…
 
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Augen1337 schrieb:
Gibt es einen reellen Vergleich der Strukturgrößen zwischen den Herstellern?
Hat das mal´wer gemessen?
der8auer hatte mal 14nm Intel vs. 7nm TSMC gemessen.

Ergebnis: sehr wenig Unterschied.

-> Einfach noch auf den -2nm Prozess warten!
 
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blubberz schrieb:
Es scheint, als wäre fast das Ende der Fahnenstange bei der Verkleinerung erreicht.
Das wurde uns in unserer Ausbildung schon von 28 nm erzählt, dass von den Leckströmen nicht viel mehr geht ... und die Entwicklung geht noch immer rapide voran. Wie kommst du drauf?
 
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@Ko3nich

Wobei der Vergleich Humbug ist.
Ohne zu wissen welche library und welcher Zellentyp in beiden Fällen genutzt wurde bringt der Vergleich nichts.

Gerade SRAM fährt man nicht mit den kleinsten Strukturgrößen, sondern entsprechender Aufweitung.
Wenn man größere Zellen vergleicht ist ein Vergleich der Struktuschwankungen und Ausfransung viel sinvoller.

So haben wir erstmal nur einen Äpfel und Birnen Vergleich.
 
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Ich finde die Entwicklung eher bedenklich. Da kommen zum Schluß Produkte raus, die nur noch die halbe Lebensdauer der Heutigen haben. Die Ausschußquote wird mit Sicherheit auch nicht kleiner werden.
 
Die Struktur steht auf dem Papier, aber die Effizienz in der Realität.
Hoffentlich kommt noch ein Snapdraon 8+ Gen 2 vor dem Gen 3, damit Samsung mit dem Exynos 2400 nicht gleich überfahren wird.
 
cruscz schrieb:
Und gewinnen tut beim Dreikampf: ASML aus Europa (Niederlande)
Wir haben in Europa tatsächlich noch Schlüsseltechnologien, ASML stellt als einziges Unternehmen EUV-Belichtungsmaschinen für Halbleiterlithographie her…
Ich bin mir ziemlich sicher das die Chinesen dran arbeiten eine eigene Produktion aufzubauen, meine das erst neulich gelesen zu haben. Bleibt natürlich abzuwarten wie erfolgreich das wird.
 
ben12345 schrieb:
Ich bin mir ziemlich sicher das die Chinesen dran arbeiten eine eigene Produktion aufzubauen
Haben wohl auch schon einige ältere ASML-Geräte zerstört beim Versuch diese aufzurüsten. Für die aktuelleren Geräte gilt ja ein Exportverbot nach China.
Ob man bei so einer Technologie so schnell aufschließen kann ist nicht unbedingt wahrscheinlich, sonst gäbe es sicherlich auch bei den Herstellern Konkurrenz.
Und dann brauchen sie noch entsprechende Chiplayouts, es wurde auch zwar bereits an CPUs und GPUs versucht, meines Wissens nach waren die Versuche aber nicht sehr leistungsfähig.
 
Die Chinesen haben dafür immerhin seit Jahrzehnten absurde Summen in die Entwicklung einer eigenen Halbleiterindustrie gesteckt und eine vernünftige Ausgangslage.

Russland hat da nie einen Fuß in die Tür bekommen und auch nie großartig Mittel für aufgewandt.
Stand 2021 war die Speerspitze der Russischen Halbleiterindustrie Mikron, welche primär weitgehend feritg prozessierte Wafer von Toshiba und STM verarbeitet haben.
 
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frazzlerunning schrieb:
Danke! Sowas muss leider immer wieder erwähnt werden, dass diese "Strukturgrößen" keine realen, messbaren Größen sind, sondern reine Marketing-Pseudobegriffe.
Stimmt, dennoch steigt die Transistorendichte mit jeder kleineren Fertigung, es ist also doch nicht nur ein Marketingbegriff.

AD102-4nm-608mm2->76mrd Transistoren
GA102-8nm-628mm2->28mrd Transistoren
TU102-12nm-754mm2->18mrd Transistoren
GP102-16nm-471mm2->12mrd Transistoren
GM200-28nm-601mm2->8mrd Transistoren
GK110-28nm…….
GF110-40nm-520mm2->3mrd Transistoren
GT200-65nm-576mm2->1,4mrd Transistoren
 
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