News Samsung Foundry: 3 nm mit GAA kommt 2022, 2 nm folgt 2025

Volker

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Auf dem Samsung Foundry Forum hat der Hersteller Einblicke in seine Fertigungs-Roadmap gegeben. GAA, oder Multi-Bridge-Channel FET (MBCFET) wie Samsung es nennt, ist demnach auf der Zielgeraden und soll im kommenden Jahr in Serienproduktion gehen. Es folgt ein Refresh im Jahr darauf, bevor 2 nm angegangen wird.

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@Volker Wenn Samsung seinen Zeitplan so halten kann, wären sie vor TSMC und Intel mit GAA Transistoren am Start, richtig?

Habe da in letzter Zeit ein wenig den Überblick verloren.
 
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v_ossi schrieb:
@Volker Wenn Samsung seinen Zeitplan so halten kann, wären sie vor TSMC und Intel mit GAA Transistoren am Start, richtig?

Habe da in letzter Zeit ein wenig den Überblick verloren.

Samsung ist immer spät dran, der Zeitplan stimmt am Ende nie.
Ja Samsung hat GAA von TSMC, aber die first Gen will ich auch erstmal sehen, denn es treffen da ja 3 nm GAA auf 3 nm FinFET im nächsten Jahr.

@Ganjaware
TSMCs 3 nm da als Nachzügler zu bezeichnen ist extrem gewagt, wo sie doch überall vorn liegen sonst und Samsung 4 nm nichtmal gegen TSMCs 5 nm ankommt. Ich befürchte nämlich, dass Samsung höchstens gleichziehen kann, wenn überhaupt. Und die zitierte Webseite ist leider auch totaler Stuss, was die so verbreiten .. Himmel hilf
 
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Ganjaware schrieb:

"Intel’s Meteor Lake Processors Likely to be Fabbed H2 2022 on TSMC’s 3nm Process"

Hat Intel damit auf den Nachzügler gesetzt, ich würde es denen gönnen.

https://www.hardwaretimes.com/intel...elayed-to-q2-2022-due-to-component-shortages/
Ja sicher. Man überspringt einfach "5"nm, lagert die Produktion aus obwohl man selber große Pläne hat, und liefert dann in ca. 12 Monaten Mainstream CPUs die ein Leistungsplus von ca. 50% zu Rocketlake haben sollten. Klingt sehr Wahrscheinlich.
 
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LamaMitHut schrieb:
Wir Kunden können uns in den nächsten Jahren so oder so auf richtig schöne Hardware freuen. Egal von wem.
Ich hoffe meine Hardware reicht noch ein paar Jahre, denn einen neuen Rechner (was wohl ziemlich teuer wird) möchte ich mir erst bauen, wenn die Unreal Engine 5 etabliert ist, der neue CPU Sockel AM5 da ist und die Grafikkartengenerationen deutlich mehr Leistung bringen, ohne auf übertriebenen Verbrauch zu setzen.
 
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Viper816 schrieb:
Die physikalischen Grenzen des Siliziums rücken näher.:heilig:

So schnell wird das nicht passieren. Nichts bei diesen Chips hat eine tatsächliche Größe von 3nm, diese Angabe ist inzwischen reines Marketing-Blabla, wie bei allen anderen Chip-Fertigern auch:

"The term "3 nanometer" has no relation to any actual physical feature (such as gate length, metal pitch or gate pitch) of the transistors. It is a commercial or marketing term used by the chip fabrication industry to refer to a new, improved generation of silicon semiconductor chips in terms of increased transistor density, increased speed and reduced power consumption." Wikipedia
 
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Ja ich hoffe doch sehr das das ende noch lange hin ist, weil will ja in zukunft auch weiterhin ne leistungsteigerung erleben. Wer weis vielleicht ist ja irgwndwann auch ne doppelte Leistung möglich wer weis. Man kann nie genug mehrleistung haben.
 
Schade, dass bei diesem Thema fast nie die realen Transistordichten genannt werden und nur die Marketing-Pseudo-Strukturbreiten, die schon lange nichts mehr mit der Realität zu tun haben und nicht einmal als Vergleich zwischen den Herstellern dient.
 
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Ich bin erstmal gespannt was Samsungs 4nm so können. Vor ein paar Monaten standen die noch als 7nm Derivat in der Roadmap.
Wenn das noch der Fall ist, stehen harte Zeiten an.
Samsung hat gerade mal EUV mit 5LPP in den Griff bekommen, womit die auf dem Niveau von TSMCs N7 sind. Bei TSMC ist das mittlerweile Mainstream in Form von N6. Nächstes Jahr steht schon N4 und N3 an. Wahrscheinlich einen Full-Node Vorsprung zu 4LPP.
Für Samsung muss GAA ein voller Erfolg werden, sonst wird das böse enden.
Ich sehe es schon kommen und es wird das gleiche Spiel wie bei EUV. TSMC kommt mit 3nm vor Samsung. Die Performance wird trotz GAA schlechter sein als TSMCs FinFet. Bis 3GAA super läuft, ist TSMC schon bei 2nm mit GAA.
 
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Genau das befürchte auch. Samsung ist hier so wie Globalfoundries früher, auch stets große Töne und dann massiv verkacken. Ich glaub irgendwie auch, dass es am Ende gar nicht sooo das klasssiche GAA wird sondern irgendwie etwas gemischtes. Leider geben sie dazu ja noch nix heraus. Aber wenn sich TSMC und Intel usw da auch nicht rantrauen bisher, bzw es laut denen eben doch eher später, so 2024/2025/2026 wird, dann ist da schon was dran. Ich wünsche Samsung alles gute und blos keinen Absturz wie GF, aber skeptisch sollte man hier schon sein.
 
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bensen schrieb:
bin erstmal gespannt was Samsungs 4nm so können. Vor ein paar Monaten standen die noch als 7nm Derivat in der Roadmap
Gibts schon irgendwelche Hinweise auf Designs, die in 4nm kommen sollen?
 
@guggi4
Der Exynos 2200 ist garantiert in 4LPE. Laut Gerüchten wird auch der nächste Qualcomm high-end SoC von Samsung gefertigt. Wäre dann wohl auch 4LPE.
 
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Dann hoffen wir mal das beste für 4LPE, ein Fullnode Vorsprung der Apple SoCs wie bei N5 vs 5LPE trotz selber Möglichkeiten für alle Hersteller ist schon ziemlich traurig.
 
bensen schrieb:
Samsung hat gerade mal EUV mit 5LPP in den Griff bekommen, womit die auf dem Niveau von TSMCs N7 sind. Bei TSMC ist das mittlerweile Mainstream in Form von N6. Nächstes Jahr steht schon N4 und N3 an. Wahrscheinlich einen Full-Node Vorsprung zu 4LPP.
Wie kommst du denn darauf? TSMCs N5 hat geradeeinmal zu Samsungs 5LPE aufgeschlossen was EUV Layer angeht. 5LPP legt da nocheinmal eine Schippe drauf. TSMC hält eher an altbewährtem fest und konzentriert sich auf Produktion und die Fortführung von Moors Law, setzt aber neue Technologien konservativ ein während Samsung da experimentierfreudiger ist und aggresiver vorangeht. Samsung leistet hier Pionierarbeit um die Produktionskosten zu senken was kleineren Abnehmern zu Gute kommt. Bei TSMC muss schon ein Kaliber wie Apple oder AMD ran damit es sich Kostendeckend lohnt. Aber nicht nur Kosten spielen eine Rollle
bensen schrieb:
Für Samsung muss GAA ein voller Erfolg werden, sonst wird das böse enden.
Selbst wenn Samsungs 3GAA überlegen sein sollte und die Yield rate bei 99% bleibt es immernoch fraglich ob Apple oder AMD zugreifen würde. Anders als TSMC ist Samsung selbst Chip Designer und damit Apple Konkurrent. Qualcomm und Nvidia wären auch alles andere als begeistert
bensen schrieb:
Ich sehe es schon kommen und es wird das gleiche Spiel wie bei EUV. TSMC kommt mit 3nm vor Samsung. Die Performance wird trotz GAA schlechter sein als TSMCs FinFet. Bis 3GAA super läuft, ist TSMC schon bei 2nm mit GAA.
Deine Einschätzung zu EUV war doch völlig falsch, das ist sie auch zu GAA
 
also ich freue mich in Zukunft auf High-NA-EUV und auch auf Nano-Imprint-Lithografie (NIL).

Habe auch was von Nanobot oder hieß es Nanoshield also kleine partikel Teilchen als Fertigung gelesen.Wird sehr interessant werden.Mal sehen was es da noch so für Techniken kommen werden.Man wird auch in Zukunft neue Verfahren finden die dann trotz gleicher Fertigung dann dennoch die Leistung steigern wird.Na wer weis das schon was danach so noch alles kommen wird.Man findet also nicht nur verkleinern sondern durch neue Techniken mehr Leistung.Die Zukunft wird also interessant werden und die Ideen gehen denen also nie aus.Allerdings wird es dennoch ihrendwann mal ein Ende dabei geben.
 
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