S
smalM
Gast
@andi_sco
Wegen völliger Unwirtschaftlichkeit stellt sich die Frage nicht.
TSMC N5: 25nm - 48nm - 30nm
Samsung 5LPE: 27nm - 54nm - 36nm
Intel 10nm+: 34nm - 54nm - 44nm
Im 10++ kann Intel anscheinend tatsächlich einen Kontakt auf ein aktives Gate setzen (COAG), ohne daß dadurch der Chip den Bach runter geht, sodaß sich ihr 10nm so langsam der ursprünglich geplanten Dichte annähern dürfte.
TSMC und Samsung haben beide 6,0- und 7,5-Track Libraries (was 2P+2N Fins, bzw. 3P + 3N Fins pro Transistor bedeutet) im Portfolio, für Intel ist mir nur eine 6,18-Track Library bekannt.
Samsung will einen 5LPE mit 60nm Gate- und M2-Pitch für hochbelastete Designs anbieten. Klingt nach Grafikkarten mit ganz vielen Stromanschlüssen...
Wegen völliger Unwirtschaftlichkeit stellt sich die Frage nicht.
Fin - Gate - M2Roi-Danton schrieb:Nein, das sind nur Marketingangaben zur Vergleichbarkeit mit älteren Prozessen. Hier mal eine (etwas ältere) Tabelle, die neuen Prozesse dürften etwas kleiner sein: [Tabelle]
TSMC N5: 25nm - 48nm - 30nm
Samsung 5LPE: 27nm - 54nm - 36nm
Intel 10nm+: 34nm - 54nm - 44nm
Im 10++ kann Intel anscheinend tatsächlich einen Kontakt auf ein aktives Gate setzen (COAG), ohne daß dadurch der Chip den Bach runter geht, sodaß sich ihr 10nm so langsam der ursprünglich geplanten Dichte annähern dürfte.
TSMC und Samsung haben beide 6,0- und 7,5-Track Libraries (was 2P+2N Fins, bzw. 3P + 3N Fins pro Transistor bedeutet) im Portfolio, für Intel ist mir nur eine 6,18-Track Library bekannt.
Samsung will einen 5LPE mit 60nm Gate- und M2-Pitch für hochbelastete Designs anbieten. Klingt nach Grafikkarten mit ganz vielen Stromanschlüssen...