News 3 nm Gate-All-Around: Samsungs neue Chips bieten massives Leistungsplus

Hm, das erhöht den Erfolgsdruck bei Intel erheblich.
AMD hat dann eine weitere Option in Sachen Fertigungspartner. :daumen:

Intel hat aktuell dagegen nichts zu bieten
  • Keine zeitgemäße Fertigung
  • Kein passendes Prozessordesign

Was sie haben, die aktuellen Prozessoren sind vernüftig, die 14nm Fertigung ausgereizt. Damit kann man noch Geld verdienen.

Da wundert mich Charlies Aussage nicht
Charlie reported a "level of fear he had never seen" around then from Intel sources.
 
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Das mit den "10 Jahren" hast du aus meinem Context genommen. Es bezog sich auf die IPC.
Und schon vor 10 Jahren gab es 4-Kerner. Im Endeffekt läuft es ja, wie schon erwähnt, immer auf die Leckströme hinaus. Weil hinter der Fläche steckt ja auch nur eine bestimmte Anzahl an Transistoren, die wiederum für die Leckströme verantwortlich sind.
 
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Volker schrieb:
3 nm Gate-All-Around: Samsungs neue Chips bieten massives Leistungsplus
Von welchen Chips soll denn da die Rede sein?
Die Überschrift bedarf ja wohl dringend einer Überarbeitung!
Volker schrieb:
Die Gate-All-Around-Technologie soll erstmals bei 3 nm zum Einsatz kommen, die ab dem Jahr 2021 erwartet wird.
Das ist Foundry-Sprech für 2021 Risk-Production und 2022 Massenproduktion.
Volker schrieb:
Erste Leistungsangaben versprechen nun nicht nur eine 45 Prozent kleinere Fläche als bei der noch sehr jungen 7-nm-Fertigung
Nur 45% gegenüber 7LPP? Das ist echt ziemlich mager, damit käme Samsung nur in den Bereich, der bereits für TSMCs N5 angenommen wird.

knacker3 schrieb:
mit ziemlicher sicherheit wird die höhere leistung und der geringere stromvebrauch nicht gleichzeitig möglich sein
die geben das doch immer so an...
andi_sco schrieb:
Es wird ja auch von 50% geringerer Leistungsaufnahme und 35% höherer Leistung gesprochen!
@andi_sco
Du hast da was überlesen...
 
Zuletzt bearbeitet von einem Moderator:
c2ash schrieb:
immer auf die Leckströme hinaus.


mein 6kern pre sandy ulv 65 watt 2.13ghz xeon (ES von intel) hat bei 4+ghz round about 450 watt aus der leitung gezogen.

die mussten gekühlt werden und alles andere drum herum musste dafür gebaut werden....step by step.

leckströme hast du immer und die frage ist nur, wie du damit umgehst.

bei unglaublich niedriger temperatur kann man sie z.b. nahezu ausschalten. das geht natürlich nicht im home bereich.

16 kerne bei 220 watt und 4ghz+ im full load ist wirklich stark. muss man sagen.

ob amd dann bei samsung bauen lässt oder bei tsmc ist mir am ende egal.

mfg
 
w0mbat schrieb:
Intels was? Intel hat seit Jahren große Probleme einen funktionierenden 10nm Prozess auf die Beine zu stellen, wieso glaubst du, Intel wird irgendetwas hinbekommen?
Weil Intel den Fehler gemacht hat, einen High Performance Prozess ohne EUV auszulegen, der bei ähnlicher Transistordichte bei der Konkurrenz längst mit EUV abläuft - und nicht weil Sie nicht vergleichbares Know How zur Konkurrenz hätten.
Dass Sie, wenn Sie auf das gleiche Pferd wie der Rest setzen, ähnliche Resultate hinbekommen, traue Ich ihnen duchaus zu.
 
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smalM schrieb:
Das ist Foundry-Sprech für 2021 Risk-Production und 2022 Massenproduktion.
Frühestens. Nachdem sich jetzt viele Jahre recht wenig getan hat, 7nm-Produkte noch immer nicht breit verfügbar sind (außerhalb von Smartphones) und 7nm+ und 5nm noch anstehen, würd ich sicher noch ein oder zwei Jahre draufsetzen, bis sowas in der Massenproduktion ankommt. Und Verschiebungen aufgrund von Problemen sind sowieso immer möglich.
 
Wow, wenn das wirklich so kommt, dann bin ich aber echt baff...

50% weniger Leistungsaufnahme UND 35% gesteigerte Leistung als 7nm kann was.

Aber aktuell gibt es doch gar keine 7nm-Produkte von Samsung, oder irre ich mich da?
Was für verbesserte Werte bieten die Samsung 7nm überhaupt zu ihrem 10nm-Prozess?
Ist 10nm überhaupt der "neuste Schrei" von Samsung?

€: Sehe gerade, dass 8nm im S10 drin ist - dann präzisiere ich meine Frage mal: Um wie viel schneller / besser soll der 7nm-Prozess zum 8nm sein?
Dann könnte man extrapolieren, was diese 3nm-Angaben im Vergleich zu 7nm tatsächlich bedeuten.

8nm -> 7nm -> 3nm
 
stevefrogs schrieb:
7nm-Produkte noch immer nicht breit verfügbar sind (außerhalb von Smartphones)


hier ist wieder die frage, was du unter den zahlen verstehst....die radeon VII hat deutlich gezeigt, dass man selbst sehr komplexe strukturen mit der fertigung bauen kann, was die bei tsmc als 7nm verkaufen.

die konsolen chips machen diese fertigung ganz sicher nicht schlechter und mit dem wissen kann man die nächste generation pushen. wie sie es dann nennen ist doch fast egal.

bei intel geht es auch voran, leider zu langsam. anders herum betrachtet haben sie richtig gutes geld verdient die letzen jahre.


mfg
 
@smalM
n der Regel sind derartige Kombinationen aber nie gleichzeitig anzutreffen, oft ist entweder von mehr Leistung oder weniger Verbrauch die Rede. Sollte dies am Ende Wirklichkeit werden, wäre der neue Prozess wirklich ein Meilenstein
 
@DenMCX
Soweit ich mich erinnere hat samsung auf einen 7nm ohne EUV verzichtet und bringt in Kürze direkt einen 7nm Prozess mit EUV auf den Markt, deswegen auch noch keine 7nm Produkte. Somit wäre das dann auch eher vergleichbar mit dem kommenden 7+ von TSMC
 
Samsung hat immer die Techankündigungen recht früh gemacht und TSMC war immer einen Tacken schneller.

@ Winder

BS, GAAF ist ein riesen Spung ggü. FinFET.
 
bensen schrieb:
Wer soll das gesagt haben?

"Gate-All-Around steht bei Samsung bereits seit Jahren auf der Roadmap, doch nun wird es ernst. Erste Leistungsangaben versprechen nun nicht nur eine 45 Prozent kleinere Fläche als bei der noch sehr jungen 7-nm-Fertigung, hinzu kommen sollen auch noch eine 50 Prozent geringere Leistungsaufnahme und 35 Prozent gesteigerte Leistung. "

der text.

mfg
 
@wern001
Wenn man in der Grundlagenforschung bei Graphen weiter ist, könnte das in der Tat die Ära des Kohlenstoffs in der Halbleitertechnologie einläuten.
Bis das denkbar ist, werden aber sich noch einige Jahrzehnte vergehen.
 
w0mbat schrieb:
Intels was? Intel hat seit Jahren große Probleme einen funktionierenden 10nm Prozess auf die Beine zu stellen, wieso glaubst du, Intel wird irgendetwas hinbekommen?
Genau. Die werden jetzt für immer hinterher rennen. Denn sie lernen nichts dazu und sind generell alle dumm in dem Laden.
 
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Genau, erst kam man nicht hinterher, oder meinte man wird nie in diese Regionen vorstoßen... und auf einmal halbieren sich regelrecht diese tollen zahlen jährlich von 10, 7, 5, 3, dann 2 und 1, später 0,9, 08, 0,7 usw. ich kann es echt nicht mehr lesen, diese Riesen verarsche mit dem Herstellungsprozess!

Das wird, als irgendein toller geiler Zahlenblasengag in die Halbleitergeschichte eingehen, was die letzten 5 Jahre so abging.

Höher schneller weiter, in der Autoindustrie der Spritverbrauch, Hubraum, irgendwas... bei Lautsprechern, Sinus, Watt sowie PMPO und bei Displays mehr und mehr Pixel oder Hertz, Hauptsache man kann mit vielen tollen zahlen jonglieren.
 
Zuletzt bearbeitet:
[wege]mini schrieb:
"Gate-All-Around steht bei Samsung bereits seit Jahren auf der Roadmap, doch nun wird es ernst. Erste Leistungsangaben versprechen nun nicht nur eine 45 Prozent kleinere Fläche als bei der noch sehr jungen 7-nm-Fertigung, hinzu kommen sollen auch noch eine 50 Prozent geringere Leistungsaufnahme und 35 Prozent gesteigerte Leistung. "

der text.

mfg
Wo steht das was von gleichzeitig? Und die News vielleicht weiter lesen.
 
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