News 3 nm Gate-All-Around: Samsungs neue Chips bieten massives Leistungsplus

bensen schrieb:
Und die News vielleicht weiter lesen.

hinzu kommen heist so etwas wie das kann man drauf rechnen...eine form von gleichzeitig.

" In der Regel sind derartige Kombinationen aber nie gleichzeitig anzutreffen, oft ist entweder von mehr Leistung oder weniger Verbrauch die Rede. Sollte dies am Ende Wirklichkeit werden, wäre der neue Prozess wirklich ein Meilenstein. "

das erklärt, warum hier das wort meilenstein verwendet wird. ob sie es bis 2022 am markt schaffen, wird man sehen....die news war ja auch nicht für dich. trotzdem schön, dass sie hier besprochen wird.

mfg
 
stevefrogs schrieb:
Frühestens. Nachdem sich jetzt viele Jahre recht wenig getan hat, 7nm-Produkte noch immer nicht breit verfügbar sind (außerhalb von Smartphones) und 7nm+ und 5nm noch anstehen, würd ich sicher noch ein oder zwei Jahre draufsetzen, bis sowas in der Massenproduktion ankommt.
N7+ ist in Massenproduktion (HPC ist davon ja nur eine Variante und nach Produktionsvolumen die deutlich weniger bedeutende), N5 in der Risk-Production. Den N5+ hat TSMC bereits angekündigt. Bei denen ist HVM für 3GaaFET 2022 gesetzt und Samsung wird alles dafür tun, um da dran zu bleiben; auch wenn es eher danach aussieht, als würde man die Transistordichten von TSMC nicht mitgehen können.
stevefrogs schrieb:
Und Verschiebungen aufgrund von Problemen sind sowieso immer möglich.
Das ist eine Binsenweisheit.
Selbstverständlich könnte nach 5FF+ noch 5FF++ eingeschoben werden müssen, schließlich ist Gate-all-around was völlig neues. Also werden Firmen, die bei Verfügbarkeit sofort im neuesten Node produzieren lassen (bspw. Apple, HiSilicon, Qualcomm) den Fortschritt und/oder die Verzögerungen mit Argusaugen beobachten!

PS:
Bei den Prozessen wird die Verbrauchsminderung immer als "Power at iso-performance" benannt. Alles andere ist wilde Spekulation von VR , das hätte er sich lieber verkniffen.
 
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Faust2011 schrieb:
Ich vervollständige mal den Satz:
... Intel weiterhin 14nm Refreshes anbieten ;)

Sorry, Intel, aber es ist ein Trauerspiel.

Das, was hier Samsung präsentiert, ist wirklich bemerkenswert. Insbesondere, dass sie neben dem Flächenvorteil auch die Geschwindigkeit und den Stromverbrauch verbessern können - und zwar alles 3 gleichzeitig.

haha ja genau 14nm+++++++++++ 🤪😆
 
Die Angaben zu Performance und Leistungsaufnahme sind immer exklusiv.

1.) Der Chip nach dem Shrink verbraucht 50% weniger Leistung. Taktet man ihn so weit hoch, damit die Leistungsaufnahme so hoch ist wie die des alten Chips, so ist die Perfoemance um bis zu 35% höher. Wichtig ist dabei der Zusatz "bis zu", denn das gilt nur im niedrigen Taktbereich. Im hohen Taktbereich ist die Leistungssteigerung deutlich niedriger.
Was jedoch immer bleibt ist die Möglichkeit die zusätzliche Transistordichte und geringere Verlustleistung dazu zu nutzen die Kernanzahl zu erhöhen. Man könnte z.B. dann 16 statt 8 Kerne verbauen.
Zu beachten gilt auch, dass immer die Leistungsaufnahme für den Gesamtchip gemeint ist. Die Leistungsaufnahme pro Fläche wird in der Regel nicht geringer, wodurch eine Desktop CPU dadurch nicht unbedingt kühler sein muss.

2.) 45% kleiner Fläche im Vergleich zu 7nm bedeutet das Ganze ist ein 5nm Prozess. Die 3nm sind Schwachsinn. TSMCs 5nm werden wohl eher 6nm entsprechen. Das Ganze ist nur etwas schwierig zu definieren, weil die 7nm schon nicht ehrlich waren und die Frage ist was man als Referenz ansieht.
Ich finde es wird höchste Zeit dass wir uns komplett von den nm Angaben verabschieden und nur mehr die Transistordichte einer SRAM Zelle angeben. Das kann man gut vergleichen.
 
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andr_gin schrieb:
Ich finde es wird höchste Zeit dass wir uns komplett von den nm Angaben verabschieden und nur mehr die Transistordichte einer SRAM Zelle angeben. Das kann man gut vergleichen.

Gibt es da aber nicht auch unterschiedliche Librarys?
 
Wattwanderer schrieb:
Rein rechnerisch müsste beim Wechsel von 7 auf 3 mindestens 400 % höhere Transistordichte rauskommen aber es sollen nur 45 % sein?
Es sind 1/0.55=182%. Zwar immer noch weniger als 400%, aber nicht mehr ganz so dramatisch.
 
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Colindo schrieb:
Es sind 1/0.55=182%. Zwar immer noch weniger als 400%, aber nicht mehr ganz so dramatisch.

Es sind ja (noch) zweidimensionale Gebilde.

Halbierung der Länge = Viertelung der Fläche?

Daher der Schritt Wurzel 2 bei Strukturverkleinerung, um die Dichte zu verdoppeln?
 
[wege]mini schrieb:
das erklärt, warum hier das wort meilenstein verwendet wird.
-X% Leistungsaufnahme und +X% Performance wurden bisher bei so ziemlich jedem Prozess offiziell gesagt,
z.B. bei TSMC
Compared to its 10nm FinFET process, TSMC’s 7nm FinFET features 1.6X logic density, ~20% speed improvement, and ~40% power reduction.
es war bisher aber trotzdem immer ein entweder oder.

Beim 16FF haben sie es dann auch mal richtig formuliert
Compared to TSMC’s 20nm SoC process, 16/12nm is 50 % faster and consumes 60% less power at the same speed.
 
[wege]mini schrieb:
hinzu kommen heist so etwas wie das kann man drauf rechnen...eine form von gleichzeitig.

" In der Regel sind derartige Kombinationen aber nie gleichzeitig anzutreffen, oft ist entweder von mehr Leistung oder weniger Verbrauch die Rede. Sollte dies am Ende Wirklichkeit werden, wäre der neue Prozess wirklich ein Meilenstein. "

das erklärt, warum hier das wort meilenstein verwendet wird. ob sie es bis 2022 am markt schaffen, wird man sehen....die news war ja auch nicht für dich. trotzdem schön, dass sie hier besprochen wird.

mfg
andi_sco schrieb:
andi_sco schrieb:
Alter Schwede, es steht doch sogar im Artikel :rolleyes:
Sollte steht in der News. Ihr stellt es als Fakt dar.
Man kann auch die Samsung Original Folien anschauen, zB auf Anandtech. Da ist nirgends die Rede von beides gleichzeitig.
 
knacker3 schrieb:
mit ziemlicher Sicherheit wird die höhere Leistung und der geringere Stromvebrauch nicht gleichzeitig möglich sein
Ja nun, im Artikel steht: "Erste Leistungsangaben versprechen nun nicht nur eine 45 Prozent kleinere Fläche als bei der noch sehr jungen 7-nm-Fertigung, hinzu kommen sollen auch noch eine 50 Prozent geringere Leistungsaufnahme und 35 Prozent gesteigerte Leistung."

Das ist schon eine überaus selbstbewusste Ansage.
Das habe ich so jetzt zum ersten mal gehört. Bisher waren immer alle Aussagen die ich Kenne ein "entweder, oder".
Wenn die das wirklich so liefern können, ... chapeau.
 
w0mbat schrieb:
Intels was? Intel hat seit Jahren große Probleme einen funktionierenden 10nm Prozess auf die Beine zu stellen, wieso glaubst du, Intel wird irgendetwas hinbekommen?

Intel hat den Verantwortlichen für das Desaster schon lange entlassen, neue alte Leute zurück ins Boot geholt und wenn du Mal die elektronenmikroskopischen Bilder zwischen Intels 14nm+++ und den 7nm von TSMC vergleichst siehst du das die beiden Strukturen fast gleich groß sind. Die Zahlen die Eisen Prozess bezeichnen sind schon seit einiger Zeit nicht mehr die Länge/Breite eines Transistors.
 
FreedomOfSpeech schrieb:
wenn du Mal die elektronenmikroskopischen Bilder zwischen Intels 14nm+++ und den 7nm von TSMC vergleichst siehst du das die beiden Strukturen fast gleich groß sind.
Aber auch nur, wenn man sich die richtigen Strukturen rauspickt.
Auf den ganzen Chip gesehen, ist die Density von N7 schon deutlich höher
 
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Ich weiß nicht wie mein letzter Kommentar hier landen konnte, weil eigentlich war ich im Bereich der Samsung 5nm Nachricht.
 
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