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NewsHot Chips 33: SOT-MRAM soll 2024 den Markt erreichen
Bei der nichtflüchtigen Speichertechnik Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM) soll die Weiterentwicklung Spin Orbit Transfer (SOT-MRAM) mehr Leistung und eine höhere Speicherdichte als der verfügbare STT-MRAM bieten. Doch bleibt es vorerst bei der Theorie, denn vor 2024 sind Produkte mit SOT-MRAM nicht zu erwarten.
Gute wiederstandsfähige Technik dieser MRAM, allerdings scheitert er wie bereits andere Speichertechnologien an der Dichte und dem Preis.
Für spezielle Anwendungen gut, für alles andere ungeeignet trifft es ganz passend. Eine Weiterentwicklung kann sich trotzdem lohnen falls ein Durchbruch gelingt welcher andere Techniken überflügelt.
Insbesondere kann sie sich auch lohnen, wenn andere Technologien aufhören, noch gut weiterentwickelt werden zu können bzw. zu werden.
Dafür wäre es dann auch wirklich wichtig, dass diese Technik eine Nische findet bzw. beibehält.
MRAM hat im Grunde genommen das gleiche Schicksal wie Phasenwechselspeicher. Dort ist sicherlich auch noch viel zu holen, die reinen Klappvorgänge im Gitter brauchen ca. 600 ps, da sind andere Anwendungen als bisher bei optane durchaus denkbar.
Elektrische und magnetische Momente ändern sich noch viel schneller und Philosophisch betrachtet "augenblicklich" das hilft andere Effekte in den Griff zu bekommen zumal man sowieso nicht drum herum Kommt redundante Technologien zu entwickeln um Sackgassen bei der Forschung auszuschließen
Ich finde die Cool. Ich finde es gut für kleine Retro spielerein mit einem Z80 oder 65c02. Die neuen Varianten kann man ja durch aus höher Takten aber EEPROM Chips sind nicht die schnellsten und immer erst eine Shadow Copy machen ist auch nicht schön.
Ich weiß es etwas Verschwendung ist diese Chips dafür zu benutzen, aber warum nicht? Immerhin sind die relativ günstig und erheblich schneller als EEPROMs.
