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NewsTSMCs 3-nm-Fertigung: Serienfertigung ab 2022 mit sehr guter Skalierung
Marketing hin oder her. Wenn AMD oder Intel ein Chip in 20nm anbietet, dieser aber schneller und sparsamer ist als die Konkurrenz, wird kein Mensch sagen "den will ich nicht, der andere hat nur 3nm"
Keine Frage, hab auch nichts anderes behauptet. Mir ging es nur um das Marketing Thema. Das spielt meiner Meinung nach nicht so eine große Rolle.
Das was am Ende raus kommt zählt.
Viel kleiner als ein nm kann es nicht werden, da ein einzelnes Silizium-Atom bereits einen Atomradius von 110 pm und folglich einen Durchmesser von 220 pm besitzt. Bei 3 nm wäre man also bereits bei unter 15 Atomschichten, was schon hart an der physikalischen Grenze ist.
Ich denke, danach wird man versuchen, 3-dimensionale CPUs zu bauen, also alles in Schichten fertigen, ähnlich wie bei 3D-NAND.
Das liegt an den schlechten M4 Kernen, nicht am Prozess. Die A76 verbauen nicht mehr als beim 855.
Ergänzung ()
guggi4 schrieb:
Sind ja noch ein paar mehr vergleichswürdige SoCs dabei, beispielsweise 855, kirin990, 765g. Alles mit a76 cores.
Die 2.43ghz cores des 855 von tsmc sind zb immer noch minimal effizienter als die des ein Jahr jüngeren 765g von Samsung. Ein aktueller Kirin 990 bei tsmc noch einmal deutlich effizienter.
Du darfst nicht auf die Effizienz schauen. Die Kerne sind ja deutlich unterschiedlich, auch wenn es jeweils A76 sind. Die Caches und Speicheranbindungen sind deutlich anders. Es macht mehr Sinn zu schauen wie viel Watt bei welcher Frequenz verbraten wird. Aber selbst da ist Implementierung der Hersteller wichtig.
Aber es sieht in meinen Augen so aus, als wären sie gleich auf mit N7.
Höchstens beim Namensschema, weil ein einzelnes Atom schon ~0,1nm (100 pm oder auch 1 Angström) groß ist und es mehr als nur ein paar Atome braucht um elektrischen Strom leiten zu können.
mWn dürfte die nächste iPhone CPU in 5nm schon in Massenproduktion (oder zumindest kurz davor) sein.
Zur minimalen Größe hatte ich auch gelesen, das man theoretisch 0,1 nm - was einem Atomdurchmesser entspricht - erreichen könnte. Man müsste dann lediglich Seiteneffekte wie Leckströme u.ä. lösen.
Zur minimalen Größe hatte ich auch gelesen, das man theoretisch 0,1 nm - was einem Atomdurchmesser entspricht - erreichen könnte. Man müsste dann lediglich Seiteneffekte wie Leckströme u.ä. lösen.
Völlig unmöglich, wie soll den bei Leiterbahnen die aus einem Atom bestehen noch ein Strom fließen können?
Das beste was so möglich sein wird in absehbarer Zukunft ist vielleicht Maßskala einzelnder Carbon-Nanotubes und selbst eine sogenannte 'single-wall carbon nanotube' hat einen Durchmesser von ca. 1nm (10 Angström, also 10 Atomdurchmesser).
Nicht, dass beim aktuellen 7nm Prozess irgendwas tatsächlich 7nm klein ist...