News ARM zeigt extreme Herausforderungen bei Chip-Fertigung

[marco_f]

@ Uwe
Zum Glück stimmt das nicht, sonst wären wir nämlich schon am Ende der Entwicklung angekommen. Vor 8 Jahren haben die Herrsteller auf high-k umgestellt und das Problem behoben, ist aber auch in der Grafik enthalten.
http://de.wikipedia.org/wiki/High-k+Metal-Gate-Technologie

@ Sithys

Schluss bei CMOS ist bei 3-5 Atomlagen. Dann kommen die Quantenphysiker zum Zuge. Dazu muss dann aber die Gesamte Informatik auf den Kopf gestellt werden, oder die Quantencomputer müssen radikal umdesignt werden.
Das ist aber alles noch weit weg, denn zum einen geht die Entwicklung noch eine Weile, ich schätze mal 20-30 Jahre, auch weil wegen der Kostenexplosion die Schritte kürzer, bzw. der Generationsabstand größer wird. Dann kann man auch noch viel am Design machen, sie HSA. Wenn endlich mal die Resistor-Speichertechnologie soweit ist wird die Grenze zwischen Haupt- und Massenspeicher verschwinden, ich denke mal das wird auch noch einen ordentlichen Schub geben.

Wenns dich interessiert google halt die Abkürzungen von der Folie in chronologischer Reihenfolge. Das sind alles sehr spezielle Lösungen für spezielle Probleme der Fertigungstechnologie, die bei weitem nicht so vermarktet werden wie z.B. MMX, SSE, SMT, usw. da sie die Konsumenten nicht sonderlich interessieren.

 

[Mumbira]

Die liebe Physik soll auch schon seit Jahren einen Strich durch die Rechnung machen und bisher gab es dann immer eine Technik die doch noch kleinere Strukturbreiten ermöglichte.
Ich lass mich überraschen ob und wann endlich Schluss ist.

Man stand bis heute nur vor Hürden, die 3,5nm sind keine Hürde, sondern eine klare Grenze.^^

Edit: Bin mir aufeinmal nicht mehr sicher ob es 3,5nm waren... Aber irgendwo da muss es schon langsamm sein, denn größere Atome sind schon um 0.01nm breit... 100 Atömchen die Strom umwandeln und noch "Rechnen"... Wird schwer.

 

[UweW.]

@ Uwe
Zum Glück stimmt das nicht, sonst wären wir nämlich schon am Ende der Entwicklung angekommen. Vor 8 Jahren haben die Herrsteller auf high-k umgestellt und das Problem behoben, ist aber auch in der Grafik enthalten.
http://de.wikipedia.org/wiki/High-k+Metal-Gate-Technologie

Ist doch völlig wurscht ob als Dielektrika ein natürliches Oxid, Poly oder was auch immer genommen wird.
Dein Link zeigt High-K-Metall-Gate in 45nm. Jetzt miniaturisiere den Transistor. Bei einem Schichtaufbau von einer Atomlage hört der Miniaturisierungsprozess auf. Und das ist von der Technologie völlig unabhängig. Egal ob Silicon-on-Insulator, HKMG, 3D...oder was auch immer bei 3nm für eine Technologie kommt.

 

[marco_f]

Klar doch, ich habe nur deiner Aussage widersprochen wir wären bei 3-5 Atomlagen angelangt. Durch HKGM hat die Iso-schicht nen Sprung nach oben gemacht und wir haben noch ein paar Jahre Luft.
Übrigends will ich mir selbst im obigen Post, und auch dir widersprechen: es wird wohl bereits Größenordnung(en) vor einer Atomlage Schicht im Schacht seien, weil die Atome dann nicht mehr homogen agieren und die Vereinfachungen der Quantenphysikalischen Grundannahmen nicht mehr gelten. Ob man damit dann wieder irgend wie umgehen kann ist dann ein anderes Thema.