News Samsung Foundry: 8-nm-Fertigungsprozess ist einsatzbereit

Volker

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Samsung hat heute erklärt, dass der Zwischenschritt von 10 nm auf 7 nm einsatzbereit ist. Hinter dem Fertigungsprozess mit der Bezeichnung 8LPP verbirgt sich ein optimierter 10-nm-Prozess, der eine zehn Prozent geringere Fläche benötigt und auch noch Energie einspart.

Zur News: Samsung Foundry: 8-nm-Fertigungsprozess ist einsatzbereit
 
Sind 4nm physikalisch möglich? Soweit ich weiß ist bei etwas über 5nm schluss.
 
Floppy5885 schrieb:
Sind 4nm physikalisch möglich? Soweit ich weiß ist bei etwas über 5nm schluss.

Die nm-Angaben sind Marketinggewäsch. Wir bewegen uns bei den Prozessen irgendwo zwischen 30nm bis 70nm, je nach Wert.
 
Zuletzt bearbeitet von einem Moderator:
Richtig, da sind nur irgendwelche Zwischenkomponenten in der angegebenen Fertigungstechnik erstellt, wenn überhaupt.
 
Teralios schrieb:
Die nm-Angaben sind Marketinggewäsch. wie bewegen uns bei den Prozessen bei irgendwo zwischen 30nm bis 70nm, je nach Wert.

Gibts dafür ne Quelle oder ist das bloßes Stammtischgelaber?
 
Viel problematischer ist, dass man das als Laie nicht mal untereinander vergleichen kann. Samsung, TSMC, GloFo, Intel... was bei einem 10 ist, ist beim anderen 12 etc. Da kann eine Fertigung fortschrittlicher sein, obwohl die angegebene Strukturgröße schlechter erscheint. Hat da irgendwer den Durchblick und kann eine grobe Übersicht geben?
Wäre wirklich mal schön zu wissen, wo die Hersteller im Moment so stehen. Intel hatte ja jahrelang ziemliche Vorteile, weil ihre CPUs in den modernsten Strukturen gefertigt werden konnten, was hinsichtlich Leistung und Energieverbrauch so seine Vorteile brachte. Hat man da inzwischen aufgeholt, gleichgezogen oder stellenweise gar überholt?
 
Warum sollte man als Laie auch solche spezifischen physikalischen Eigenschaften vergleichen wollen? Deshalb ist man ja "Laie". Weil man sowas nicht zu wissen braucht?
 
@ eremit007
Nein. auch nicht der NAND-Preis
F&E muss erstmal wieder reingeholt werden. Zudem gibt das der Markt aktuell nicht her (Handys mit 8GB RAM und 256GB Flash)
Nachfrage immernoch größer als Angebot.

@Staputsky
Floletnis link ansehen.

und, Stellenweise überholt sollte hier Passen.
GloFo und IBM + TSMC + Samsung Vs. Intel.
...
Was ein Monopol bringt zeigte dieses Jahr.
Intel ruht nicht, Sie preschen nach vorne, das steht fest.
Allerdings sollte das Know-How der anderen 4 nicht unter den Tisch gekehrt werden.

Vorteil für AMD ... sie können auf alle 4 Zurückgreifen. Damals in einem der Unzähligen Ryzen-News wurde das mal ein bisschen aufgefasst. (das Wohl GloFo und IBM zusammen mit TSMC und Samsung irgendwie da bissl was "zusammen" machen (wenn auch nur in kleinem maß und in einer niesche))
GloFo abzustoßen war damals (jetzt im nachhinein) eine Weise und Gute Entscheidung.
 
Samsung nennt es also 8nm und es ist noch immer der 14nm Prozess? 10nm war doch schon der gleiche mit Optimierungen oder hab ich was verpasst?
 
Die Nanometerangabe bezieht sich meines Wissens nach immer auf die Gatelänge der Transistoren. Die Isolierschicht auf dem Gate ist teilweise sogar dünner als die Nanometerangabe. Die Aussage, man befinde sich derzeit bei 30nm bis 70nm ist also falsch.
 
dubstep<3 schrieb:
Die Nanometerangabe bezieht sich meines Wissens nach immer auf die Gatelänge der Transistoren. Die Isolierschicht auf dem Gate ist teilweise sogar dünner als die Nanometerangabe. Die Aussage, man befinde sich derzeit bei 30nm bis 70nm ist also falsch.

Ich wäre dankbar, wenn dazu immer mal wieder Belege genannt würden. Behaupten kann jeder was, das macht es noch lange nicht glaubwürdiger. (Wie mein Rewe-Lehrer zu sagen pflegte: "Lieber eine starke Behauptung, als ein schwacher Beweis?" - bei Antworten von Schülern, die meinten das könne überzeugen :D)
 
"Für Intels 14 nm, für Samsungs 14LPP und für TSMCs 16FF+ lässt sich Intels Aussage halbwegs nachprüfen; hier sind einige Charakteristiken der Nodes einsehbar. Beim für die Chipgröße relevanten Metal Pitch etwa führt Intel mit 52 nm zu jeweils 64 nm, beim Gate Pitch sind es 70 nm zu 78 nm sowie 90 nm und SRAM-Zellen (High Density) fallen mit 0,0499 zu 0,064 und 0,0810 µm² kompakter aus. Mit 10 nm verringert Intel den Metal Pitch auf 36 nm verglichen mit 51 nm (10LPP) und 42 nm (10FF), beim Gate Pitch sind es 54 nm zu 68 nm und 64 nm sowie HD-Zellen mit 0,0312 statt 0,040 sowie 0,042 µm²."

Quelle

Also mit anderen Worten die tatsächlichen Metal-Metal-Pitch-Größen sind also
Intel 10nm: = 36nm
10nm-LPP: = 51nm
10nm-FF: = 42nm

Die Gatepitches sind nochmal größer
Intel 10nm: = 54nm
10nm-LPP: = 68nm
10nm-FF: = 64nm

EDIT: Diese Quelle ist vielleicht sogar noch anschaulicher
 
Zuletzt bearbeitet:
NighteeeeeY schrieb:
Warum sollte man als Laie auch solche spezifischen physikalischen Eigenschaften vergleichen wollen? Deshalb ist man ja "Laie". Weil man sowas nicht zu wissen braucht?

Ich bin auf diesem Gebiet auch ein ziemlicher "Noob" und finde es dennoch wichtig, ab und an meinen Horizont etwas zu erweitern. Kann man jetzt als unnützes Wissen abtun, oder sich einfach daran erfreuen, mal wieder was gelernt zu haben. ;)

Tum Thema: Spannend! :D
 
Intel, TSMC, GlobalFoundries und Samsung benutzen alle nur eingekaufte Maschinen von ASML, die haben mit der Technologieentwicklung selber gar nichts zu tun, die findet in den Niederlande statt. Nur das Prozessordesign machen sie selber, genau wie bei ARM.

So gesehen sind das eigentlich ziemlich Innovationslose Unternehmen.
 
usb2_2 schrieb:
Samsung nennt es also 8nm und es ist noch immer der 14nm Prozess? 10nm war doch schon der gleiche mit Optimierungen oder hab ich was verpasst?

Du verwechselst das mit 12nm.
12nm war 14 mit Optimierungen.
bzw. 16nm mit Optimierungen bei TSMC.
10nm ist was eigenständiges.
 
Zuletzt bearbeitet von einem Moderator:
Dann frage ich mich ja welche angegebene Strukturgröße bei CPUs zuletzt tatsächlich noch realisitsch war? Die ersten Core 2 und Phenoms mit dem Schritt von 90 auf 45nm oder noch ältere?
 
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