Colindo schrieb:
Wie, TSMCs N3 ist ohne Gate-all-around? Wie wird denn dann der Shrink erreicht? Höre das zum ersten Mal, oder habe es mir falsch aus den bisherigen Artikeln gemerkt.
Edit: Wurde bisher nie erwähnt, was TSMC bei N3 macht.
Es ist noch nicht lange her, daß TSMC N3 mit FF statt GAA bestätigt hat. Vorher wurde von verschiedenen Seiten her spekuliert, daß N3 GAA ist, aber TSMC selbst hatte tatsächlich nichts dazu verlautbart.
Krautmaster schrieb:
und dann spielen auch solche Techniken mit rein:
CONTACT OVER ACTIVE GATE
Die Gerüchteküche besagt, daß Intel genau das bei 10nm aufgeben mußte. Einer der üblichen Verdächtigen wird bestimmt schöne Schliffe von 10nm-CPUs angefertigt, nette Bilder mit einem Elektronenmikroskop gemacht und diese interessierter Seite für ein kleines Entgelt zur Verfügung gestellt haben...
Krautmaster schrieb:
du siehst ja grad dass die reine Fläche eines Gate / Pitch kaum Aussagekraft hat, für sich gesprochen. Allein weil nebenbei noch ganz andere Faktoren reinspielen. Da müsste man jetzt auch bei TSMC Vergleiche haben...
Reale Werte in Millionen Transistoren pro mm² (übers ganze Die!):
Intel : 22 ~ 16,5 | 14 ~ 44,7 | 14+ ~ 37,2 |
10 HP ~ 67,2 | 10 HD ~ 80,6
TSMC : 16+ ~ 28,9 | 10 ~ 49,1 | 7 HP ~ 52,7 | 7 HD ~ 91,4
Die Angaben für Intel 10FF sind Annahmen (Scotten Jones), da Intel keine Zahlen rausrückt.
Die theoretische maximale Dichte von TSMCs N5 soll 170 MT/mm² betragen, man wird wohl SoCs mit 130~140 MT/mm² erwarten können.
Die Transistor-Dichte hängt sehr stark davon ab, was der Chip leisten soll und wie die Anteile von Analog, RAM und Logik verteilt sind. So gibt TSMC für den N5 eine Steigerung der Dichte gegenüber N7 für Logik um 80% und für Analog 30% an.