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Für sämtliche Silizium-Chips spielt der verwendete Fertigungsprozess eine wichtige Rolle. Umso größer der Die, desto notwendiger wird der verwendete Prozess, damit unter anderem die Herstellungskosten und die Leistungsaufnahme nicht ins Unendliche schießen. Aktuell ist man auf den Grafikkarten beim 55-nm-Prozess angekommen und möchte schon in Kürze auf Full-Node 40 nm wechseln.
The Inquirer ist wohl die unseriöseste Quelle die es gibt und von daher schenk ich dem keinen Glauben, solang es nicht von anderer Seite auch berichtet/bestätigt wird.
Es gibt zumindest weitere Anzeichen, die ebenfalls in diese Richtung deuten. Zum einen liegt der der 40nm-Prozess nicht im ursprünglichen Zeitplan, und zum anderen gibt es da ja die Daten von AMDs Server.
Vorausgesetzt, dass sowohl der dort gelistete RV740 als auch der RV790 wirklich bei TMSC in 40nm gefertigt werden, sind die Spannungen mit 1,26V beim RV740 und 1,30V beim RV770 für 40nm schon sehr hoch. Das könnte man als Indiz für die Inq-Theorie werten, da das Grundübel laut dieser Quelle eben die enormen Leckströme des Prozesses sind.
Weil der Prescott in 90nm mehr verbraucht hat als der Northwood in 130nm.
Zumindest in den ersten Steppings, ob das später besser wurde weis ich leider nicht. Generell hat der Prescott sehr enttäuscht. Hatte mir dummerweise einen P4c geholt wegen dem guten OC und der Aufrüstmöglichkeit auf den Prescott, leider wurde der dann aber Müll . Hätte ich doch auf den A64 warten sollen, Gott das ärgert mich immernoch....
Danke für eure Ausführungen, damals hatte ich nur AMD. Kaum vorstellbar, dass der mir nur als Hitzkopf bekannte Prescott ein Shrink war
Vorausgesetzt, dass sowohl der dort gelistete RV740 als auch der RV790 wirklich bei TMSC in 40nm gefertigt werden, sind die Spannungen mit 1,26V beim RV740 und 1,30V beim RV770 für 40nm schon sehr hoch.
Mal eine Mutmaßung ohne großes Hintergrundwissen: Kann man die Spannung tatsächlich so kritisieren? Immerhin hat ein 45nm PhII Quad unter Last rund 1,37 Volt, während ein Q9xxx "nur" ca. 1,1xVolt hat. Dennoch verbrauchen sie näherungsweise gleich viel Strom unter Volllast.
War ja auch kein bloßer schrink wie bereits gesagt wurde (55M Transistoren versus 125M Transistoren), sondern eine Weiterentwicklung der Architektur (und das nicht zum besseren IMHO) wie zB die längere Pipeline und SSE3.
also wenn 15nm weniger dazu führen, daß der Verbrauch steigt, dann verbrenn ich meine 8800gts und schnupf die asche.
klingt äußerst unglaubwürdig, ich als auch die meldung
edit:
ok, leckstrom - klingt logisch, kann natürlich Probleme machen
22nm ist erst mal die Schallmauer. Für alles darunter müssen die Transistoren - wie bei Festplatten mittlerweile üblich - wohl senkrecht aufgestellt werden.
@philler: Wenn du höhere Leckströme hast, die du durch höhere eine Kernspannung ausgleichen musst, ist so einiges möglich...
Gleiche Leistungsaufnahme, geht das überhaupt? Chips haben jetzt schon eine enorm hohe Energiedichte, da kann ich mir kaum vorstellen, dass pro Fläche doppelt so viel rausgeheizt wird.
Also wenn sich das bewahrheiten sollte, wäre es nicht gerade Positiv viel kleinere Strukturen und gleicher oder gar größerer Stromverbrauch ich glaube so stellen sich das ATI und Nvidia bestimmt nicht vor.
Bleibt zu hoffen das es doch nicht stimmt, oder das Sie es noch in den Griff bekommen.