News TSMC N3E: Apple nutzt optimierte 3-nm-Fertigung für A17 und M3

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Seit längerer Zeit wird Apple als erster Abnehmer von TSMCs 3-nm-Fertigung gehandelt. Aus dem asiatischen Raum wird das Gerücht abermals untermauert. Demnach soll der A17 den optimierten N3E-Prozess nutzen. Der neue Node könnte erneut den Pro-Modellen vorbehalten sein. Auch für den M3 soll die Fertigung zu 3 nm wechseln.

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Ich habe mich auch bei der neuen Strategie, in die normalen Modelle eine alte CPU einzubauen, schon gefragt, ob die normalen iPhones ein Jahr kürzer Updates als die Pro Modelle bekommen.

Wahrscheinlich wird man den langen Support vielleicht nur mit dem „Pro“ Preisaufschlag bekommen.
 
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Ist das angesichts der Tatsache, dass das iPhone 8 von 2017 mit A11-Chip zuletzt iOS 16 bekommen hat, wirklich so ein kritischer Punkt? Der Support wird vermutlich auch so noch eine Spitzendauer erreichen. Zu Apples Premium-Ansatz würde ein solches vorgehen aber definitiv passen.

@topic:

Erstmal noch Zukunftsmusik, aber solange TSMC das Tempo hält, wird wohl jeder neue Node ein Hammerschlag sein.
 
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Naja, alt sind die Teile noch lange nicht und sie werden auch nicht so schnell altern, wie frühere Generationen.

Was ich mich aber frage: konnte man die aktuelle Gen so einfach von N3 auf N4 portieren?
 
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Habe beim a16 zum
Jetzigen a15 (13 pro ) keinen Nennwerten Mehrwert in den specs soweit möglich sehen können. Denk war umgelabelt und erst der a17 im
15pro für mich ein Grund zum Upgrade vllt
 
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Wenn man dies Jahr das iPhone gegenüber dem Pro ohne Not ein Jahr älter gemacht hat, werden sie es bei 3nm auch tun.
 
andi_sco schrieb:
Naja, alt sind die Teile noch lange nicht und sie werden auch nicht so schnell altern, wie frühere Generationen.
Ja, aber aus dem umgekehrten Grund als den, den du annimmst: Sie werden schneller altern als in den letzten Jahren.
Sobald die Verlangsamung der Effizienzgewinne wieder abnimmt werden sie ganz schnell zum alten Eisen gehören. Bei x86 konnte das bereits in der Praxis miterlebt werden: Verlangsamung von SandyBridge bis Skylake, Beschleunigung seit Summit Ridge. Alles aus der Ära der Stagnation ist jetzt keinen Pfifferling mehr wert.

Und die Verlangsamung der Effizienzgewinne wird wieder abnehmen; spätestens, wenn ein HBM-Derivat optimiert für den ultramobilen Einsatz entsteht.
 
Zuletzt bearbeitet: (Sprachliche Korrektur)
TSMC ist glaube ich nicht mehr einzuholen. Die werden wohl in ein paar Jahren den Pikometer erreichen
 
Welche Chips produziert den Broadcom in modernem Prozess ?
 
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hassborn schrieb:
Könnt ihr diese Apple-Jünger Rhetorik nicht endlich mal lassen?
Es gibt gute Gründe sich für ein Apple-Produkt zu entscheiden. Gerade im SOC-Bereich sind sie einsam an der Spitze.
Hast natürlich Recht. Darin sind sie einsame Spitze. Können in den neusten Prozess aber auch nur investieren, da Ihre treue Kundschaft ständig teuer einkauft und dadurch hohe R&D Invests möglich sind.
Aber geb Dir Recht. Es gibt neben den SOC noch andere gute Gründe für Apple, vor allem das Gesamtkonzept und die Software. Ich binde mich nur nicht so gern an ein Unternehmen. Wobei ich beim M1Pro fast schwach geworden wäre.

Die Jünger-Theorie ist natürlich Quatsch. Wobei uns das zum nächsten Kommentar führt:
MichaelaRegena schrieb:
Du machst dann eine Menge Gewinn mit den Aktien von dem Unternehmen und kaufst dir was davon?

Android Schrott?
Hat ja nicht lange gedauert um die Jünger-Theorie zu bestätigen :D
 
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Der N3 ist doch quasi schon wieder so verzögert das man gleich N3E nehmen will, wie der Artikel ja auch sagt.
Da kann man sich das N3 im Artikelnamen eigentlich schon sparen. Ob es nennenswerte N3 Stückzahlen für irgend jemanden ergeben ist angesichts der schon höher entwickelten Subtypen für mich unwahrscheinlich.
Für "Billigheimer" gibt es ja N4 Derivate als optimierten N5.
 
MichaelaRegena schrieb:
Apple produziert in 3 nm während Intel gerade mal bei 10 nm ankommt.
Apple lässt produzieren, Intel produziert wenigstens den größten Teil selbst.

andi_sco schrieb:
Was ich mich aber frage: konnte man die aktuelle Gen so einfach von N3 auf N4 portieren?
Bei manchen Designs geht das, es müssen dann eben ein paar Änderungen vorgenommen werden. Primär muss man eben mit einem größeren Package rechnen (siehe Rocket Lake, das war ja praktisch ein Ice Lake auf 14nm hochskaliert), und die Taktrate wird meist etwas niedriger ausfallen.
Vermutlich ist der Sprung beim A16 deswegen nicht so gewaltig, da man mit dem Takt nicht so hoch gehen konnte, wie man potenziell wollte. Oder die eigene Architektur kommt eben langsam an ihre Grenzen.
 
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quakegott schrieb:
TSMC ist glaube ich nicht mehr einzuholen. Die werden wohl in ein paar Jahren den Pikometer erreichen
Ein Silizium-Atom hat einen Durchmesser von 0,1nm = 100pm = 1Å. Man spricht von Angström.
Hier ist also eine harte Grenze wo es nicht weiter geht, hier stirbt Moores-Law in seiner bisherigen Form.

Ab hier werden andere Innovationen notwendig sein, in erster Linie wird man in die dritte Dimension gehen müssen (was ja zum Teil schon gemacht wird).
 
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Draco Nobilis schrieb:
Der N3 ist doch quasi schon wieder so verzögert das man gleich N3E nehmen will, wie der Artikel ja auch sagt.
Da kann man sich das N3 im Artikelnamen eigentlich schon sparen. Ob es nennenswerte N3 Stückzahlen für irgend jemanden ergeben ist angesichts der schon höher entwickelten Subtypen für mich unwahrscheinlich.
Für "Billigheimer" gibt es ja N4 Derivate als optimierten N5.

N3 ist doch die Bezeichnung für alle Prozesse in N3, also auch für N3E? Der Kunde suchst sich doch einfach den passenden N3 aus. Je nachdem ob er mehr Leistung braucht oder sparsamer unterwegs sein will.
 
@UrlaubMitStalin

... oder aber Silizium als Material ablösen müssen. Geforscht wird auch daran, erfolgreich (teil)implementiert wurde es hingegen noch nicht, soweit ich weiß.
 
Dauer noch viel länger als man denkt bis zu der Grenze. TSMC N3 ist ja nicht wirklich 3nm.
 
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UrlaubMitStalin schrieb:
Ein Silizium-Atom hat einen Durchmesser von 0,1nm. Man spricht von Angström.
Hier ist also eine harte Grenze wo es nicht weiter geht, hier stirbt Moores-Law in seiner bisherigen Form.

Ab hier werden andere Innovationen notwendig sein, in erster Linie wird man in die dritte Dimension gehen müssen (was ja zum Teil schon gemacht wird).
Eine kleine Anmerkung. Die gates moderner CMOS technologien sind wieder aus Metall statt Polysilizium. Desweiteren ist der Kanal in Sättigung eh in Kanallängenmodulation (also kürzer als das Gate). Da machen Quantendynamische Effekte schon viel früher dicht. (bereits heute ist der durch DIBL und Gate Diffussion erzeugte Leckstrom der dominante Verbrauchsmechanismus)
 
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heroesgaming schrieb:
... oder aber Silizium als Material ablösen müssen. Geforscht wird auch daran, erfolgreich (teil)implementiert wurde es hingegen noch nicht, soweit ich weiß.
Das Problem ist nicht das Element. Die größe von Atomen unterscheidet sich nicht all zu sehr voneinander (Gesamt-Atrom inkl. Hülle, nicht Artomkern).

Mit anderen Materialien wird man das Ganze also höchsten minimal aufschieben können, fraglich ob sich das lohnt.
 
Ayo34 schrieb:
N3 ist doch die Bezeichnung für alle Prozesse in N3, also auch für N3E? Der Kunde suchst sich doch einfach den passenden N3 aus. Je nachdem ob er mehr Leistung braucht oder sparsamer unterwegs sein will.
Ja davon ging ich zuerst früher auch aus.
Da passt aber nicht das früher berichtet wurde das N3 noch nicht so weit sei und Apple daher bei N4 als optimierten N5 bleibt und dann direkt auf N3E geht.
Daher scheint es auch einen "stock" N3 zu geben.

MichaelaRegena schrieb:
Apple produziert in 3 nm während Intel gerade mal bei 10 nm ankommt.
Bitte lies dich erst in das Thema ein, die reale Nanometerangabe (des Gate-Pitch etc.) hat quasi keine Relevanz mehr. Daher haben alle Hersteller so tolle Node Namen. keiner schreibt da was von "nm".
Bei dem ganzen Dingen auf die es wirklich an kommt, wie FinFET oder GAA etc. pp., ist das auch einfach nicht sinnvoll auf Nanometer zu schauen.

Was aber stimmt, Intel ist wirklich ca. eine Generation hinterher.
Schlimmer wiegt bei Intel aber der zu große (und damit ineffiziente) P Kern, weshalb man sein heil im hinzufügen von vielen E-Kernen sucht. Was meiner Meinung nach an der Ursache vorbei geht.
Die P Kerne drücken ja nur so gut weil der Takt stimmt, werden aber flächentechnisch bei Raptor Lake schon wieder wegen L2 größer-.-
 
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