Abolis
Lieutenant
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- Dez. 2009
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auch wenn ich glaube dass beis teigender temperatur der wiederstand steigt, aber das mag halbleiterspezifische unterschiede haben
das stimmt auch. Prinzipiell verhält sich jeder Halbleiter wie folgt:
0K bis Temp=X Halbleiter mit Isolatoreigentschaften, sprich es muss Energie in Form von Spannung aufgebracht werden, um eine elektrische Leitfähigkeit zu erzeugen (abhängig von Dotierung)
ab Temp=Y Leiter, es sind immer freie Ladungsträger verfügbar. Wiederstand steigt durch kinetische Stöße der Elektronen mit dem Gitter... dies kann dann sogar zu Gitterdefekten führen. Indirekt dadurch auch lokal starke Erwärmung. Um auch hier ein Beispiel zu nehmen. Wenn eine CPU laut Sensor 50-60°C ausweisst... kann man damit rechnen dass ein Transistor gerne mal 300°C sieht... bzw die Aktive Zone zwischen Source und Gate... Drain bekommt normalerweise nicht soviel ab... allerdings bin ich auch nicht fit genug in Si-Technologien um das genau sagen zu können. Bei GaAs-basierten MOSFETs und pHEMTs ist es auch jedenfall so.
Allerdings überwiegt bei den OC-Ergebnissen der Effekt der Ladungsträgerreduzierung. Bei derartig hohen Spannungen wird das HL-Gitter sowieso zerstoert. Natürlich geht das nicht sofort, sondern nur durch Dauerbetrieb... aber hier werden die Elektronen eigentlich gezwungen schneller zu fliessen, als es die Technologie eigentlich erlaubt. Dadurch sind extrem hohe Gitterstösse der Elektronen unausweichlich.