News Intel äußert sich zum Thema Prescott und 90nm

[Jan]

Gerüchte um den kommenden Prozessor hin oder her, Christian Anderka, Pressesprecher Intel Deutschland, hat uns gegenüber ungewohnt offen reinen Tisch gemacht. Demnach ist Intel für die Massenproduktion bereit und der Prescott wird definitv in dieser Technologie erscheinen.

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[Grobi]

hmmm was soll man blos davon halten?

 

[freeeezy]

alles was man halten sollte is ne Tasse Tee zum abwarten.

-.-

 

[DjDIN0]

Die "nur fünf Atomlagen dünnen Sperrschicht im Transistor" Eine dünnere Sperrschicht erhöht leider aber auch den Leckstrom (da dünner, dadurch mehr möglichen ungewollte Elektronensprünge)
und dadurch die ungewollte Leistungsaufnahme auch bei geschlossenen Zustandt der Transistoren.

 

[blabla]

Naja, wenn Intel ca. 100W Leistungsaufnahme als normal ansieht, dann ist mir schon klar dass sie sagen können, sie haben keine Probleme mit 90nm.
Möglicherweise ist es auch nur Kundenhinhalterei.

 

[Sanjay]

@2: der spruch ist gut!!!!

ich bleib bei amd selbst wenn intel 2 mal schneller werden

 

[bensen]

bla bla

 

[Supernoob]

Solange das ding was drauf hat !

 

[mat3000]

@ 3
stimmt DjDINO:
vielleicht 1 von vielen Gründen weshalb uns
die CPU mit gigantischen energiebedarf überrascht.

 

[rOx_Ya]

@3,8 das müsst ihr mir erklären...

wenn die transistoren geschlossen sind und doch strom durchkommt, ist das nicht ein "fehler" also damit eine "1" wo ne "0" hingehört, ergo rechenfehler? und das kann sich intel doch 100% nicht leisten...

CU

 

[DjDIN0]

@rOx_Ya

Problem der Leckströme bei immer kleineren Strukturen :
"Manche Isolierschichten sind mittlerweile nur noch wenige Atomlagen dick. Das bedeutet, daß die Elektronen dort zunehmend "durchtunneln" können. Bildlich gesprochen: Die Zäune zwischen den Elektroden werden immer niedriger, so daß manche Elektronen darüber springen können. Die quantenphysikalischen Grundlagen dafür sind ausgesprochen kompliziert.
Die niedrigen Betriebsspannungen führen dazu, daß die Transistoren nur noch wenig Steuerspannung bekommen. Sie werden deshalb so gebaut, daß sie zwar sicher durchschalten, aber nicht notwendig komplett abschalten."

Quelle : http://www.techwriter.de/thema/wasbesti.htm

 

[DjDIN0]

@rOx_Ya Nein es ist kein Fehler weil erst ab einem gewissen Emitterstrom, also einem der nicht durch Leckströme verursacht werden kann das BIT als 0 oder I interpretiert wird.
Der einfache Transistor funktioniert ja wie eine Schleusse, der Strom zwischen Kollektor und Emitter ist der mögliche Wasserdurchfluss von oben nach unten und wird durch den Basisstrom als Schleuse (mehr Basisstrom = offenere Schluese) gesteuert.Dieser Leckstrom durch die Sperrschichten zwischen diesen genannten negativen und positiven Schichten (NPN b.z.w. PNP(N=Negativ,P=Positiv) verursacht (gott sei dank) noch nicht einen solchen Fehler.
CPU-Hersteller versuchen durch immer besseres Sperrschicht-Material dem entgegenzuwirken z.b. mit mit einer planaren Sperrschicht bei Tri-Gate Transistoren : http://www.elektronikpraxis.de/fachartikel/ep_fachartikel_8426.html die dann wie dort im Text vom Link steht auch weniger Leckströme aufweisen.

 

[Zock]

Also DjDino großen Respekt vor deinem Wissen über Halbleiter und Co. hast dich ganz schön schlau gemacht aber..... INTEL wird schon genug ahnung haben wie man einen Prozi richtig baut oder ??? Es kommt bestimmt auch darauf an wie die Sperrschichten hergestellt sind vieleicht hat Intel einen neuen weg gefunden sie kleiner zu machen aber dafür stärker. Naja wir werden sehen.

 

[mat3000]

@ 12

also ich glaube kaum dass Intel schafft
die physikalischen gesetze auser kraft zu setzten!!!

 

[karuso]

djdino hat doch vollkommen recht!
die dünne sperrschicht reicht nicht mehr aus um die ladungsdifferenz zu trennen. es kommen immer mehr elektronen durch. nur wird eben bis zu einem bestimmten wert alles noch als low interpretiert. nur fliesst dadurch die ganze zeit strom was die hohe verlusstleistung erklärt. ich denke aber nicht dass sie so noch lange weiter machen können, da irgendwann der unterschied von low zu high zu gering wird. deswegen müssen neue transistortechnologien her, die bei kleinerer bauform besser sperren...

 

[TB|BlackEagle]

Ich glaub ja AMD geht den richtigen weg mit SOI wobei ich mich nartürlich nicht so auskenne! und ob SOI bei kleineren Strukturen hilft??!!

Aber ist klar das Intel seine Geheimnisse nicht preisgibt weil wer kauft schon nen Heizkraftwerk ausser die dummen AMD Jünger

 

[TB|BlackEagle]

Axo ähm gibt ja leida keine edit funktion!
@14 Entwickelt AMD net sowas hatte ich ma wo anders gelsen so vor 2Monaten das AMD neue Transistoren Entwickelt hat oda so?? kann das??

 

[mat3000]

Dass heisst jetzt doch
das jede umstellung auf kleinere technologien
immer mehr grössere probleme mit sich bringen wird.

Übrigends:
der erste athlon der in 0.013 micron gefertigt wurde
hat fast genauso viel energie verbraucht als der vorgänger!
als dann amd eine neue 8 schicht aus
kupfer einfügte und ein paar veränderungen aingeführt hat
sank die verlustleistung/ man könnte ihn wieder besser übertakten!!!

 

[mike666]

@11 das ist ja schön und gut,aber in den PC-Prozessoren werden keine Bipolartransistoren verwendet,sondern MOS-Transistoren.

@15 ich glaube auch dass SOI der richtige Weg ist, da wird jeder Transistor einzeln komplett von allen Seiten isoliert, ist aber eben noch schwer herzustellen.

Zu der Sperrschicht-Dicke : es geht darum dass man bei kleiner werdendem Gate die Kapazität der Gate-Oxidisolationsschicht-Halbleiter-Anordnung gross genug halten will, da sie wichtig für die Schaltzeit des Transistors, also für den Takt der CPU wichtig ist. Aus der Formel für die Kapazität C=A/k*d (A-Gatefläche, k-Leitfähigkeit des Oxids, d-Dicke des Oxids) sieht man, dass man d verkleinern muss um die Kapazität konstant halten zu können. Ein Weg wie man die Isolationsschichtdicke vergrössern kann, ist ein anderes Material mit grösserer Leitfähigkeit als bei SiO2 zu benutzen, daran wird momentan gearbeitet, und bestimmt auch bei Intel

 

[Schlammi]

mir egal - ich will das ding haben!