Also der I/O-Die bei Ryzen 5000 braucht so an die 20W-25W (in Extremsituationen auch 30W), je nachdem, wie hoch man den Speicher- und Fabrictakt fährt, und welche SOC und VDDG Spannung anliegen. Nachdem I/O und analoge Schaltungen relativ schlecht skalieren, werden die Vorteile von TSMC N6 beim neuen I/O-Die wohl relativ überschaubar sein.sHx.Shugo schrieb:Bei dem Bild und der Aufteilung der DIEs bekomme ich irgendwie das Gefühl als wäre der große I/O DIE in der "Mitte" die Hauptkomponente die gekühlt werden soll.
Wäre schon interessant zu sehen/erfahren, wie die Temperaturen von den CPU DIEs und dem I/O DIE unter Last aussehen, einfach um zu gucken, ob der I/O am Ende nicht doch die wärmste Komponente darstellt.
Dazu kommen noch 4 zusätzliche PCIe Lanes, das Upgrade aller PCIe Lanes auf Gen5, eine Verdoppelung der Busbreite vom Infinity Fabric innerhalb des I/O-Die sowie von und zu den CCDs, sowie andere Nebeneffekte, um die hohe Bandbreite von DDR5 auch nutzbar zu machen.
Ich glaube, es ist also durchaus im Bereich des Möglichen, dass sich der I/O-Die bei gleichzeitig vielen angeschlossenen Geräten, Speicher-OC und PCIe-G5 so seine 30 bis 40 Watt gönnen wird. Unter absoluter Vollast evtl. auch mehr.
Die PPT bei den Ryzen 7000 Topmodellen steigt auf ca. 178W (241W TDP/1.35), was eine 36W Differenz zu den jetzigen Topmodellen ergibt. Wenn davon ca. 10W für den IO-Die gedacht sind, bleiben zusätzliche 13W pro CCD.
Das würde es erlauben, unter Vollast 1.63W-2.2W (8Kern CCD vs. 6Kern CCD) mehr Energie in die Rechenkerne zu pumpen, was mit den Gerüchten übereinstimmt, dass der Allcore-Takt und die MT-Leistung merklich ansteigen sollen.