News Quad-Level Cell: Intel sieht 3D-NAND als Wegbereiter für 4 Bit pro Zelle

[Holt]

Vielleicht mal die Ultra II einfach öfter intern einen Refresh der Ladungen, was das Problem auch löst und daher verstehe ich auch nicht, wieso Samsung das nicht gleich mit dem FW Update gemacht hat. Vermutlich haben sie es aber sogar gemacht, nur zu zögerlich.

 

[Quonux]

Totale Fehlentwicklung...
Das macht die Technik nur noch mehr anfällig für Ionisierende Strahlung (Beta, Gamma), das wird in zukunft ein riesiges Problem sein.

 

[BaserDevil]

Hallo,

die Samsung 850 Pro verwendet 3D VNAND. Was letztlich TLC ist. Das ist eben wie der Namen sagt kein MLC.
Das Netz ist doch voll von Testberichten mit techn. Details. Zum Bsp.
http://www.pcgameshardware.de/SSD-Hardware-255552/Tests/Samsung-SSD-850-Pro-Test-1126978/

 

[guggi4]

3D-NAND hat nichts mit SLC, MLC, TLC zu tun... Alle Samsung Pro sind MLC!
http://www.anandtech.com/show/8216/samsung-ssd-850-pro-128gb-256gb-1tb-review-enter-the-3d-era

 

[Diablokiller999]

Klingt ganz geil, finde auch die Leute sind bei Flash noch immer viel zu skeptisch, Langzeittests ergeben mindestens so gute Ausfallraten wie HDDs, wenn nicht weitaus höher. Na wir werden sehen, denke TSVs sind die größte Revolution der letzten Jahre(Jahrzehnte?) in der Computertechnik, bin gespannt was da noch kommt und wie es mit Logikbausteinen aussieht

Hat übrigens jemand ein paar genauere Informationen wie diese 3D-Technik mit den TSVs funktioniert? Finde bis jetzt immer nur recht oberflächliche Beschreibungen für die Funktionsweise, wie die Zellen genau angesprochen oder die vertikalen Leitungen im Substrat aufgebracht/verlegt werden habe ich bis jetzt noch nicht heraus finden können :-/

 

[sunnyday]

Die PCGH kann man da leicht falsch verstehen, sie sagen nach MLC kommt 3D VNAND.

Wenn QLC viel nm benötigt, dann könnte das mit 3D-NAND sehr gut klappen.

Laut Samsung erhöt sich die Haltbarkeit (Ladungsstabilität und Interferenzen (Abnutzungen)) ab 30nm und allein durch 3D V-NAND. (Quelle.)

Wenn die Prozessoren nicht mehr kleiner werden können, werden sie vielleicht 3D, 120 Kerne könnte ich mir (je nach Schichten) im Heimrechner sicherlich gut vorstellen (Videorendering). Ich denke die 3D-CPUs werden nochmal das Ass im Ärmel sein, 3D-Ram macht es ja vor, die nächsten zwei Jahre sind wir ja schon bei 10 nm angekommen.

 

[Holt]

Totale Fehlentwicklung...

Toll das Du meinst schlauer zu sein als die ganze Fachleute der NAND Hersteller. Welche Alternative würdest Du denn Vorschlagen, die Zellen bei planaren NAND noch zu verkleinern? Das wäre noch viel schlechter.

Das macht die Technik nur noch mehr anfällig für Ionisierende Strahlung (Beta, Gamma), das wird in zukunft ein riesiges Problem sein.

Würde es bei kleineren Zellen bei planaren NANDs auch und wenn die Strahlung in der Umwelt so hoch wird, dann haben wir wohl nicht nur wegen der SDDs ein großes Problem!

die Samsung 850 Pro verwendet 3D VNAND. Was letztlich TLC ist.

So ein Unsinn, 3D NAND, was bei Samsung V-NAND genannt wird, besagt nur, dass die Zellen übereinander angeordnet werden und eben nicht nur in einer Ebene. Das sagt nichts über die Anzahl der Bit pro Zele (bpc) aus. TLC bedeutet 3 bpc, MLC wird meist für 2 bps verwendet, könnte aber auch für mehr also 2 bpc stehen, da das M für Multiple steht. Das eine hat mit dem anderen gar nicht zu tun.

Das Netz ist doch voll von Testberichten mit techn. Details. Zum Bsp.
http://www.pcgameshardware.de/SSD-Hardware-255552/Tests/Samsung-SSD-850-Pro-Test-1126978/

Und voller Fehler, aber selbst bei pcgameshardware, die nicht gerade eine Leute bzgl. SSDs sind, habe ich keine Behauptung finden können, dass die NANDs der 850 Pro mit 3 bpc arbeiten, also TLC wären.