Colindo schrieb:
Bei der Form der Optiken hingegen geht es um die kommende Weiterentwicklung High-NA:
Ja, das hatte ich ja wie gesagt auch vermutet und mit dem Zitat ist es dann auch klar. Ich wollte nur nicht Stunden irgendwelche Artikel von CB lesen, wenn am Ende der Fotolack richtig ist, das aber eben noch nicht gelöst ist.
Colindo schrieb:
Damit passt es zur Frage wie die Faust aufs Auge und man kann sie richtig beantworten.
Der Beitrag von @Fortatus zeigt, dass man auch durch andere Artikel per Google-Suche auf die richtige Lösung kommt.
Colindo schrieb:
@Skysnake Sphärische Fokussierspiegel sind ja die einfachste Form, die man sich vorstellen kann, also musste da bisher nichts optimiert werden.
Ne, die einfachste Form ist ein planbar Ebene. Und danach kommen die Linsen und erst dann der erst die Hohlspiegel. Ganz gleich ob jetzt sphärische oder asphärische.
Das war eben dann der Punkt wo man entweder raten muss, oder genau obiges Zitat finden ohne andere. Ich meine mich nämlich auch stark an Artikel zu erinnern, wo man eben sagt, das man für EUV keine Linsenoptik sondern eben Spiegel braucht.
ICH finde die Auswahl daher leider etwas wahllos.
Colindo schrieb:
Erst asphärisch ist eine echte Herausforderung, die schwieriger wird je größer die Spiegel werden.
Wenn du meinst. Den Spiegel wird Zeiss nicht genauer/ungenauer fertigen als bisher. Ja mit ner anderen Geometrie als bisher, wenn ich aber eh nur 2 Atomlagen Abweichung hab ist das auch egal am Ende vom Tag.
Wie oben gesagt ändert sich durch HighNA die Anforderung an die Maske. Die wird halt kleiner, wenn ich es richtig im Kopf habe. Aber wie auch immer. Das recticle Limit wird kleiner und damit eben die effektive Auflösung der Maske deutlich höher. Fehler wirken sich also mehr aus. Was wie gesagt darauf raus läuft das man ne Maske pro Maschine macht. Und da kann man sich eben drüber streiten ob das jetzt schon gemacht wird oder nicht. Ich würde sagen wird nicht gemacht. Meine Hand würde ich aber nicht für ins Feuer legen.
Colindo schrieb:
Zur Rauheit des Fotolacks
Die Rezepte der Fotolackentwicklung mussten in mühevoller Arbeit darauf angepasst werden, was die kritische Linienrauheit auf zurzeit 3,5 nm reduzierte.
Danke für das Zitat. Da sind wir jetzt nämlich genau bei dem von mir genannte Punkt. Da steht eben NICHT das was du denkst über die Rauigkeit des Fotolacks sondern was ganz anderes.
Für EUV musste die SENSITIVITÄT des Fotolacks (wie immer bei einer neuen Lichtquelle btw, also nichts besondereres/spezielleres als bisher auch) angepasst werden. Darum geht es aber nicht, sondern um die Rauigkeit des Fotolacks. Die Partikelgröße würde man damit ja normal assoziieren. Die wurde aber nicht besonders angepasst meines Wissens nach. Was man anpassen musste und fast dran gescheitert wäre ist die Sensitivität des Photolacks, der die Rauigkeit der Lines bestimmt bei EUV und nicht die Partikelgröße.
Das Stichwort ist hier Quantisierungsrauschen und shotnoise, für den der sich belesen will.
Also mal kurz ausgeholt für ne verkürzte Erklärung. EUV hat das Problem, dass die Zahl der Lichtquanten, also der Lichtfluss aka Lichtstrom ist relativ gering bei EUV weil einfach ein einzelnes Quant schon so verdammt energiereiche ist. Man hat also quasi nur eine recht "dunkle" Lichtquelle. Und genau das ist ein riesen Problem denn die Quelle heller machen geht nicht aus mehreren Gründen.
1. Bei noch höheren Strömen zerfrisst es einen die Maske noch schneller
2. Die Optik wird wegen der Adsorbsion noch schwerer zu kühlen
3. Braucht die Maschine noch mehr Energie
So jetzt kommt aber der wirkliche Knackpunkt. Die Anzahl der Wafer die man pro Stunde belichten kann ist der Quotient aus Lichtstrom / Sensitivität des Fotolacks.
Sprich wenn man einen fixen Lichtstrom hat muss entweder der Fotoloack sensitiver werden, also weniger Lichtquanten benötigen um belichtet zu werden. Man muss halt ne gewisse Anzahl an Wafern pro Stunde durch die Maschine bekommen, damit sich das Ganze auch rechnet.
Also muss der Lack halt ne gewisse Sensitivität haben. An sich denkt man jetzt ha Jo, dann mach ich den so sensitiv, das ich nur genau ein Quant Brauch. Da gibt es dann aber ein neues Problem.
Man hat Streuung und sekundärstrahlung die auch recht energiereiche ist. Die kann auch dazu führen das belichtet wird.
Man muss also einen Lack mit einer sehr scharfen Kante nach unten definieren, damit nicht unbeabsichtigt durch andere Prozesse belichtet wird. Aber eben auch klein genug damit man nicht zu lange belichten muss. Ansonsten bekommt man ja nicht den Durchsatz hin.
Bei EUV ist das jetzt wirklich massig geworden, weil man eben am Ende nen Lack hat, der irgendwo bei 2-5 Quanten belichtet wird.
Und genau das führt halt zu dem Problem der Rauigkeit. Die Rauigkeit ist quasi vollständig durch die reale Verteilung der EUV Quanten bestimmt, weil man da einfach schon keine wirkliche vernünftige Statistik mehr hinbekommt.
Gibt dazu auch ganz interessante Vergleiche zur line roughness bei unterschiedlichen Belichtungszeiten mit EUV.
Die line roughness hat also in erster Ordnung nichts mit der Rauigkeit des Fotolacks zu tun. Daher bin ich am Ende auch davon ausgegangen, dass das ne Falle mit der Formulierung war.
Was wie man sieht jetzt am Ende leider falsch war.
PS macht doch mal nen Artikel zur line roughness. Das ist spannendes Zeug wie man oben sieht
PPS Intel/TSMC haben ein ähnliches Problem mit der Dotierung der Transistoren. Weil die so klein geworden sind hat man nur noch wenige Dotierungsatome pro Transistor, was zur Folge hat, dass die genaue Anzahl und Position der Dotierungsatome einen Einfluss auf den Transistor hat. Gab da von CB glaub auch mal nen Artikel zu Intel mit der Problematik.
