News Samsung SSD 840 Evo: Neuer Patch gegen Altersschwäche im April

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Hallo32 schrieb:
@IMEAN

Aktuell geht die Vermutung in die Richtung, dass der TLC über die Zeit Ladung verliert.
Wird der TLC neu beschrieben, wird die "verlorene" Ladung wieder ausgeglichen.
Also Folge dessen, kann man die SSD wieder mit voller Geschwindigkeit lesen.
Und verliert dabei einen weiteren Schreibzyklus. Die Ladungshaltung ist bei Flash übrigens um so schlechter, je öfter er schon geschrieben wurde, weil sich natürlich genau die Trennschicht abnutzt, die dafür sorgt, daß die Ladung in der Zelle bleibt.

Das Problem haben natürlich alle Flashspeicher, also auch SLC, MLC, je nachdem wie knapp man sie auf Kante näht. Man muß sich das so vorstellen wie einen Meßbecher, den man mit Wasser füllt. Das Wasser verdunstet nun mit der Zeit. Bei SLC muß man nur zwei Werte unterscheiden, nämlich Becher leer und Becher voll. Solange nicht alles komplett verdunstet, weiß man immer, was vorher drin war. Bei MLC muß man schon vier Werte unterscheiden, also muß eine Skala auf den Becher, denn man muß nun vier verschiedene Füllstande unterscheiden können. Bei TLC sind es dann schon acht verschiedene Füllstände, man muß also schon recht genau ablesen, um sich nicht zu vertun. Und wenn der Wasserstand nun zwischen zwei Markierungen steht, muß man ziemlich genau hingucken, durch wiederholtes Ablesen, das dauert...

Flashspeicher kann man nicht nachfüllen, man muß sie also jedesmal löschen und neu schreiben, um die Ladung aufzufrischen. SSDs müssen also künftig nicht nur durch den Dauerschreib-Endurancetest, sondern auch durch den Schranktest: Hundertmal mit Daten vollschreiben, dann in den Schrank und nach zwei Jahren wieder auslesen.
 
Randy89 schrieb:
Gibts Beweise für diese Behauptung?

Gibts Beweise gegen diese Behauptung?

jodd schrieb:
@ jtsn

Deine "Theorie" hat einen gewaltigen Schönheitsfehler: Was ist mit den vielen EVO Besitzern die gar keine Probleme haben?

Deine Antwort hat leider auch einen gewaltigen Schönheitsfehler. Sie ist gewaltig unsachlich. Besonders von einem Moderator.

Früher habe ich mich meistens auf Kundenrezensionen bei Onlinehändlern und in Käuferforen verlassen. Da hat man sehr oft gelesen "die Samsung 840 Evo ist eine tolle SSD". Niemand hat dem widerprochen. Auch kein Moderator. Ich habe meine SSD eingebaut und mich gefreut. Als sie nach einiger Zeit langsamer geworden ist, habe ich gedacht das mein Windows vermüllt ist und habe neu installiert. Dann ging es wieder eine Weile.

Viele EVO Besitzer werden überhaupt nicht wissen das ihre geliebten SSD nicht die beworbenen Versprechungen und Bechmarks aus den Computertests einhalten. Gestern lese ich nun das

Gekaufte Bewertungen: Amazon verklagt Anbieter von Fake-Reviews
http://winfuture.de/news,86590.html

Dann habe ich das gefunden
Vorsicht: Gefälschte Kundenbewertungen in Online-Shops!
http://www.computerbild.de/artikel/...elschte-Bewertungen-Online-Shops-7474604.html

Wie Sie gefälschte Kundenrezensionen bei Amazon und Co. erkennen
http://www.derberater.de/motor-tech...denrezensionen-bei-amazon-und-co-erkennen.htm

Wenn ich mir das so überlege habe ich solche Beurteilungen auch schon ziemlich oft in Reviews auf Käuferwebseiten gefunden. Das ist viel schlimmer als nur ein gewaltiger Schönheitsfehler. Wem soll man denn noch vertrauen?

Meine Theorie
Ohne Grund ist Samsung nicht so schnell von der Samsung 840 Evo mit diesem schmalen TLC weg zu wieder breiterem 3D-NAND. Die werden wohl wissen das das alte TLC grenzwertig war und was sie damit angerichtet haben. Es gibt immer Qualitätsstreuungen und die Umgebungstemperatur ist in jedem PC anders.

Vielleicht ist das wie mit schlechter Tinte. Die bleicht mit der Zeit auch aus und man muss manchmal die Lupe nehmen und das dauert dann.
 
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Und zu der Ladungsintegrität kommt auch noch die nm-Größe und Abschirmung einer Zelle. 3D-Nand ist dafür z.B. viel besser geeignet, egal ob nun TLC, MLC oder QLC (was deswegen jetzt auch schon im Gespräch ist).
 
@ Harri Bohn


Auch das sind alles wieder nur Mutmaßungen ohne jeden objektiven Beweis und genau die braucht keiner. Der einzige der (hoffentlich) weiß worum es bei den Fehler geht ist Samsung und die halten sich leider sehr bedeckt. Nächste Woche werden wir sehen ob Samsung das Problem gelöst hat und die Zukunft wird zeigen ob es diesmal auch dauerhaft ist.
 
jtsn schrieb:
Und verliert dabei einen weiteren Schreibzyklus. Die Ladungshaltung ist bei Flash übrigens um so schlechter, je öfter er schon geschrieben wurde, weil sich natürlich genau die Trennschicht abnutzt, die dafür sorgt, daß die Ladung in der Zelle bleibt.
Schöne Erklärung, gibt es auch Quellen dazu? :)

Harri Bohn schrieb:
Gibts Beweise gegen diese Behauptung?
When debating any issue, there is an implicit burden of proof on the person asserting a claim.
https://en.wikipedia.org/wiki/Philosophic_burden_of_proof
Übersetzt etwa: Beim Debattieren liegt die Beweislast bei dem, welcher die Behauptung aufgestellt hat.
Außerdem ist das entweder ein Versuch, ein Stohmann-Argument hervorzuzaubern und mir zu unterstellen, meine Position wäre dagegen, um mir dann die Beweislast zuzuschieben oder ein argumentum ad ignorantiam, bei dem unter anderem versucht wird, eine These für richtig zu erklären, nur weil es bisher keiner hier wiederlegt hat.
 
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Obwohl jeder durchschnittlich begabte Schuljunge inzwischen erahnen kann wo das Problem bei TLC liegt gibt genügend englischsprachige Fachdokumentatationen die Du durcharbeiten kannst

http://www.exp-math.uni-essen.de/~immink/pdf/flash.pdf

Auf S. 3 sind die Problemzonen rot dargestellt

"These smaller intervals increase the potential for error when cells deviate from the ideal voltage levels, regardless of the source of these deviations. This notion is depicted in Fig. 2. Here, we see the istributions for an MLC cell and for a TLC cell. The TLC cell distributions must occupy a smaller interval in the voltage range, and have a higher overlap, resulting in a larger potential for error."

Verify level control criteria for multi-level cell flash memories and their application
http://asp.eurasipjournals.com/content/pdf/1687-6180-2012-196.pdf

Randy89 schrieb:
Schöne Erklärung, gibt es auch Quellen dazu? :)



https://en.wikipedia.org/wiki/Philosophic_burden_of_proof
Übersetzt etwa: Beim Debattieren liegt die Beweislast bei dem, welcher die Behauptung aufgestellt hat.
Außerdem ist das entweder ein Versuch, ein Stohmann-Argument hervorzuzaubern und mir zu unterstellen, meine Position wäre dagegen, um mir dann die Beweislast zuzuschieben oder ein argumentum ad ignorantiam, bei dem unter anderem versucht wird, eine These für richtig zu erklären, nur weil es bisher keiner hier wiederlegt hat.



Modulation Coding for Flash Memories
http://arxiv.org/ftp/arxiv/papers/1304/1304.4811.pdf

Auf S. 2 oben sind die Auswirkungen des Übersprechens zwischen NAND-Bereichen dargestellt. Bei TLC ist das höher.

Error Analysis and Retention-Aware Error Management
http://users.ece.cmu.edu/~omutlu/pub/flash-error-analysis-and-management_itj13.pdf

Figure 1 ist mal ne hübsch anschauliche symbolische Darstellung der Verteilungswahrscheinlichkeiten der Bitmuster und Ladungsmengen bei MLC 2-Bit.

In Figure 8 b sind die Ladungsverschiebungen durch Datenalterung dargestellt und bei c die theoretische Korrektur durch In-

Place Reprogramming. Figure 9 zeigt das Übersprechen.

Das ist das Allerschönste direkt von Samsung

Samsung V-NAND technology
http://www.samsung.com/us/business/oem-solutions/pdfs/V-NAND_technology_WP.pdf
Figure 6. Cell characteristics of the V-NAND versus planar NAND memor
Bit Flip After 35K P/E Cycles
Figure 10. The endurance characteristics of V-NAND compared with 21nm planar NAND at
six blocks per die

Bei 19nm planar TLC würde es noch viel schlimmer aussehen.

Hier sieht es dann jeder Blinde mit dem Krückstock

Industry Innovation with Samsung's Next Generation V-NAND Aug. 2014
http://www.flashmemorysummit.com/English/Collaterals/Proceedings/2014/20140805_Keynote2_Samsung.pdf
Seite 46 V-NAND Reliability

Interessant ist die blass graue Darstellung von TLC-NAND Planar 3bit. Dort sind die Bitmuster für 111 und 110 links sehr weit überlappt und fast gänzlich nur noch mit Hilfe von Prüfbits zu identifizieren. Für jemanden mit etwas technisch-mathematischem Sachverstand sieht das recht interessant aus um nicht zu sagen erschreckend. Das ist Samsungs offizielle Darstellung zum Materialproblem von planarem TLC-NAND vom August 2014 bevor der erste User sich mit dem TLC-Alterung-Problem gemeldet hat. Was git es da noch zu diskutieren was wollt Ihr denn noch? Mit etwas Interesse kann das jeder selbst finden. Nachdem ich durch Werbung in Foren ziemlich gelinkt worden bin habe ich mich etwas intensiver mit dem Thema SSD befasst.


jodd schrieb:
@ Harri Bohn

Auch das sind alles wieder nur Mutmaßungen ohne jeden objektiven Beweis und genau die braucht keiner. Der einzige der (hoffentlich) weiß worum es bei den Fehler geht ist Samsung und die halten sich leider sehr bedeckt. Nächste Woche werden wir sehen ob Samsung das Problem gelöst hat und die Zukunft wird zeigen ob es diesmal auch dauerhaft ist.

Das Thema planar TLC 19nm wurde im August 2014 durch Samsung selbst hinreichend geklärt.
 
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Harri Bohn schrieb:
Was git es da noch zu diskutieren was wollt Ihr denn noch? Mit etwas Interesse kann das jeder selbst finden.
Vielen Dank für die ausführliche Erklärung :daumen:
Im Endeffekt heißt es lediglich, dass die Anfälligkeit bei TLC ohne 3D Nand oder im Vergleich zu MLC, bzw. SLC höher ist, wenn ich das richtig verstanden habe. Wie auch immer; mir reichts eigentlich, wenn die kleinen SSDs 3-5 Jahre und die großen 7-10 Jahre halten. Ist immernoch allgemein gesehen schneller als eine HDD.
 
Link entfernt, ist nicht sauber, LA.exe ist wohl kaum von Samsung.
 
Zuletzt bearbeitet von einem Moderator:
Kann mir einer sagen ob er/sie ein Mittel gegen sinkende IOPS hat? Das ist bei allen SSD's, glaube nicht nur Samsung.. :(
Unbenannt-1.png
 
Ein Patch über DOS wäre schön. Weil ich mit dem Magican Tool mal wieder meinen RAID Verbund auflösen darf. Na klasse. Ich freu mich schon...

Kann mal jemand testen, ob das Magican Tool eine neue Firmware einspielt die das Problem behebt?
Ich möchte nur ungern das RAID auflösen und dann ist da nichts.


EDIT: OK, hat sich aufgrund des falschen Links erledigt...
 
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Welche LA.exe?!?

Link IST von Samsung:

hier nochmal zum nachlesen:
"http://www.samsung.com/global/business/semiconductor/minisite/SSD/downloads/software/Samsung_Magician_Setup_v46.zip"


Samsung hat diese nur DOWN genommen,
war ganze 2-3 std online....

@devebero: kann dich beruhigen. Schient erstmal keine neue FW zu geben. Nur Magician ist auf 4.6 hoch
 
Zuletzt bearbeitet:
Samsung macht es richtig spannend, fast so wie Griechenland. :lol:
 
Wenn Samsung das ganze nach Stunden runternahm, dann hat das sicher einen triftigen Grund, zum Beispiel möglichen Datenverlust.
 
Zuletzt bearbeitet:
Den Grund wird man hier sicher auch noch erfahren.
 
Ist es dann von Samsung nicht leichtsinnig eine wohl fehlerhafte Software erst anzubieten und dann wieder vom Server zu entfernen? Bei den internen Kommunikationsabläufen und Handlungsprozessen scheint Samsung jedenfalls in diesem Fall gezielt ungebildet zu handeln.

Samsung sollte wissen, wie schnell das schnelle Internet mit seinen automatisierten Suchwerkzeugen auf Patches und Updates reagiert. Südkorea hat zudem ein hoch entwickeltes und schnelles Breitbandinternet. Also das, was man gewissenhaft mit einem fähiges Kommunikationsnetz verbreiten kann, ist Samsung unfähig selbst per interner Kommunikation im eigenen Netzwerk zu leisten.

Bleibt noch die Tatsache ein Produkt direkt aus dem Labor ohne interne Langzeittests, nicht mal in den eigenen Firmenrechnern auf unterschiedlichen Chipsätzen und Plattformen hin zu testen. Das zeigt wie unfähig der Hersteller ist und selbst seinen Produkten aus der eigenen Entwicklung kein großes Vertrauen schenkt.
Samsung weiß entweder wirklich nicht wo das Problem liegt, nur dann sind sie als High Tech Unternehmen mit ihrer High-Tech Propagandawerbung völlig überbewertet oder aber sie wissen ganz genau wo der Mangel liegt, der vielleicht keiner ist, weil das Produkt falsch beworben und damit wollen sie durch die voreilige Produktvorstellung der 840 mit den Habgiermargen nicht die Verantwortung für schlecht kommunizierte Produkte tragen.

Im Marketing und Kundenkommunikation wäre das eine glatte sechs und von der Ausbildungsumsetzung in der Arbeit wären die entsprechenden Auszubildenden in der Prüfung glatt durchgefallen, weil hier sogar der wichtigste Grundsatz für den Job nicht gegeben ist. Wer bei den Aussagen seine Vertragspartner offensichtlich belügt und Tatsachen verschleiert, der hat ein gravierendes Kommunikationsdefizit und ist dazu unfähig eine partnerschaftliche Vertrauenbasis aufzubauen.

So oder so, Samsung lehrt in in dem Fall eines. Glaube einem solchen Hersteller überhaupt keiner Aussage mehr. Nicht mal seiner technischen Publikationen, wenn sie unfähig sind selbst einfachste Probleme zu kommunizieren. Und das will sich auch noch umgesetzte Ausbildungskompetenz nennen. :rolleyes:
 
Moin @all
hab auch mal den AS SSD Benchmark durchflöten lassen. Ich war mal über 500 MB/Sek. aber das ist wohl Schnee von gestern. :(

AS SSD Benchmark April 2015.jpg

Was meint ihr?

Achso, by the Way, habbich noch mal einen Systemtest mit Fire Storm gemacht. Aber das nur am Rande. :D

Mein Benchmark April 2015 - 1.jpg _ Mein Benchmark April 2015 - 2.jpg


Greetz


PS: Von innen betrachtet, sieht ein Hamsterrad wie eine Karriereleiter aus.
 
Hallo

Mit dem AS SSD Benchmark siehst du leider nicht ob du ein "Problem" hast. Es erstellt eine neue Datei und testet dann diese.

Lade dir bitte Filebench herrunter und teste dann am besten die ganze SSD. Dann weisst du ob du ein "Problem" hast oder nicht. Solltest du bei 4xx-5xx MB/sek sein alles io.
 
Zuletzt bearbeitet:
Hmm...war nicht vom 14.4. die Rede?
Sieht ja bisher nicht danach aus...
 
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